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基于栅源电压差的并联SiC MOSFET瞬态电流均流方法
Transient Current Sharing Method for Parallel SiC MOSFETs Based on Gate-Source Voltage Difference
| 作者 | Hao Pan · Haichuan Zhou · Zhen Wang · Yufeng Zhao · Limin Jia |
| 期刊 | IET Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年4月 |
| 卷/期 | 第 18 卷 第 1 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅MOSFET 瞬态电流不平衡 数学模型 栅极电流调节 电流共享 |
语言:
中文摘要
本文建立了数学模型，用于分析和抑制并联SiC MOSFET在开关过程中的瞬态电流不平衡。通过提取与注入栅极电流以调节各器件间的栅源电压差异，所提出的控制策略显著降低了瞬态不平衡电流，有效实现了动态电流均分，提升了并联器件的电流共享性能，同时降低了设备过流风险。
English Abstract
In this paper, a mathematical model is established to analyse and mitigate transient current imbalance in parallel SiC MOSFETs during switching. By extracting and injecting gate current to regulate gate-source voltage differences, our proposed strategy significantly reduces transient imbalance currents, ensuring effective current sharing and reducing the risk of equipment overcurrent.
S
SunView 深度解读
该并联SiC MOSFET瞬态电流均流技术对阳光电源的大功率产品具有重要应用价值。可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中的高功率密度模块设计，特别是1500V系统中的并联SiC器件应用场景。通过优化栅极驱动控制策略，有效解决了大功率产品中并联器件的动态电流分配问题，提升了系统可靠性。这对提高PowerTitan等大型储能系统的功率密度和效率具有积极意义。建议在下一代高功率密度产品中采用该技术，进一步提升阳光电源在SiC应用领域的技术优势。