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基于物理信息深度学习与稀疏数据的电力电子器件剩余寿命预测
Remaining Useful Life Prediction of Power Electronic Devices With Physics-Informed Deep Learning and Sparse Data
| 作者 | Le Gao · Chaoming Liu · Yiping Xiao · Chunhua Qi · Mingxue Huo |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年11月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 深度学习 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 剩余使用寿命 电力电子器件 SiC MOSFET 物理信息深度学习 稀疏数据 可靠性 老化 |
语言:
中文摘要
针对碳化硅(SiC)MOSFET在复杂环境下的剩余寿命(RUL)预测问题,本文提出了一种物理信息深度学习方法。该方法有效解决了现有深度学习模型在稀疏退化数据条件下预测精度不足的局限性,提升了电力电子系统在极端环境下的可靠性评估能力。
English Abstract
Accurate remaining useful life (RUL) prediction of silicon carbide mosfets is essential for ensuring the reliability of power electronic systems, particularly under irradiation environments. However, most existing deep learning approaches rely on densely sampled degradation data, making them unsuitable for sparse-data conditions where degradation observations are limited. To address this limitatio...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着SiC器件在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能系统中的广泛应用,提升功率模块的可靠性预测能力至关重要。该方法通过物理模型与AI结合,能够在数据采集受限的实际工况下,精准评估器件寿命,从而优化iSolarCloud平台的运维策略,实现从“事后维修”向“预测性维护”的转型。建议研发团队将其集成至PCS及逆变器健康管理模块,以降低运维成本并提升产品全生命周期竞争力。