多芯片并联IGBT模块电流均流优化与验证

Optimization and Validation of Current Sharing in IGBT Modules With Multichips in Parallel

作者	Guiqin Chang · Cheng Peng · Yuanjian Liu · Erping Deng · Xiang Li · Qiang Xiao · Yongzhang Huang
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2024年12月
技术分类	功率器件技术
技术标签	IGBT 功率模块可靠性分析多物理场耦合
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	IGBT 功率模块电流均流并联芯片电应力电能变换电路拓扑

语言:

中文摘要

多芯片并联IGBT模块广泛应用于工业及汽车电力电子系统。电路拓扑不对称及芯片特性差异导致并联芯片间电流分配不均，产生过大的电应力，进而影响模块可靠性。本文研究了电流不平衡的成因，并提出了优化均流的策略与验证方法。

English Abstract

Multichips paralleled insulated gate bipolar transistor (IGBT) power modules are widely employed in industrial and automotive power conversion systems. The asymmetry of the circuit topology and the differences in chip characteristics are the main reasons for the unbalanced current distribution among parallel chips, leading to excessive electrical stress in power modules, which in turn forces the p...

SunView 深度解读

该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器）中功率模块的选型与设计。在大功率电力电子设备中，IGBT模块的并联均流是提升系统功率密度和可靠性的关键。通过优化均流技术，可有效降低芯片热应力，延长模块寿命，减少因局部过热导致的故障率。建议研发团队在设计大功率PCS及逆变器时，引入该文的均流优化模型，并结合多物理场仿真工具，提升模块在极端工况下的电流均衡能力，从而增强产品在严苛环境下的长期运行可靠性。