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压力分布对压接式IGBT芯片动态雪崩的影响
Impacts of the Pressure Distribution on Dynamic Avalanche in Single Press-Pack IGBT Chip
| 作者 | Tianchen Li · Yaohua Wang · Yiming Zhang · Jiayu Fan · Xuebao Li · Lei Qi · Xiang Cui |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 有限元仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 压接式IGBT 压力分布 动态雪崩 关断能力 功率模块 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文研究了压接式IGBT（PP IGBT）子模块中外部压力分布对芯片动态雪崩及关断能力的影响。研究首次发现压力分布是影响IGBT动态雪崩的关键因素，对于优化高压大功率器件的封装可靠性及提升关断性能具有重要意义。
English Abstract
Within a press-pack insulated gate bipolar transistor (PP IGBT) submodule, the components are packaged by external clamping force. This external clamping force significantly affects the chip's dynamic avalanche and further degrades its turn-off capability, which needs to be investigated. In this article, it is found for the first time that the pressure distribution is the key factor for the IGBT c...
S
SunView 深度解读
压接式IGBT（PP IGBT）是阳光电源大型集中式光伏逆变器及高压储能变流器（如PowerTitan系列）核心功率模块的关键封装形式。该研究揭示了压力分布对器件动态雪崩和关断能力的深层影响，直接关系到大功率变流器在复杂工况下的可靠性。建议研发团队在进行功率模块设计与热机械仿真时，引入压力分布的精细化建模，优化压接结构设计，以提升产品在高压、大电流运行环境下的鲁棒性，降低器件失效风险，从而进一步提升阳光电源产品的长期运维稳定性。