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拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 3.0

高效率Class-E/F3功率放大器设计流程

Design Procedure for a High-Efficiency Class-E/F3 Power Amplifier

作者 Shirin Pezeshkpour · Mohammad Mahdi Ahmadi
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年11月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★ 3.0 / 5.0
关键词 E类功率放大器 E/F3类功率放大器 开关电压应力 谐振滤波器 电力电子 效率 谐波抑制
语言:

中文摘要

Class-E功率放大器(PA)的开关电压应力较高。本文提出在开关管两端并联串联谐振滤波器,以滤除开关电压的三次谐波,从而降低电压应力,即Class-E/F3 PA。文章详细探讨了该拓扑的输出功率、效率及元件参数敏感性。

English Abstract

The switch voltage stress in a Class-E power amplifier (PA) is larger than that in any other switching PAs. A series resonant filter is added across the switch to filter out the third harmonic of the switch voltage and reduce the switch voltage stress. The new circuit is usually called a Class-E/F3 PA. The output power, the efficiency, and the component values of a Class-E/F3 PA can be sensitive t...
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SunView 深度解读

该文献探讨的高频功率放大技术(Class-E/F3)主要应用于高频开关电源领域。对于阳光电源而言,虽然目前主流光伏逆变器和储能PCS多采用硬开关或软开关(如LLC/移相全桥)拓扑,但随着宽禁带半导体(SiC/GaN)的应用普及,电力电子变换器正向高频化、高功率密度方向演进。该拓扑中通过谐振网络降低开关电压应力的思路,可为阳光电源研发下一代高频、高效率的辅助电源模块或小型化充电桩功率模块提供技术参考,有助于提升产品功率密度并降低开关损耗。