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基于栅极电压的功率半导体器件主动热控制
Gate Voltage-Based Active Thermal Control of Power Semiconductor Devices
| 作者 | Abhishek Chanekar · Nachiketa Deshmukh · Abhinav Arya · Sandeep Anand |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年9月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 主动热控制 功率半导体器件 结温 栅极电压 可靠性 功率损耗 热管理 |
语言:
中文摘要
主动热控制（ATC）常用于降低功率半导体器件（PSD）的结温波动并提升可靠性。通过调节栅极电压改变PSD的功率损耗是实现ATC的有效方法。本文探讨了在静态I-V特性的欧姆区内，栅极电压变化对功率损耗的影响机制及控制策略。
English Abstract
Active thermal control (ATC) is popularly used for the reduction of junction temperature swings and for enhancing the reliability of power semiconductor devices (PSDs). Gate voltage variation has the potential to be an effective method for ATC by manipulation of power loss in the PSD. However, gate voltage variation in the ohmic region of static I-V characteristics does not change the power loss i...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有重要价值。通过栅极电压的主动热控制，可以在极端工况下动态优化IGBT/SiC模块的结温分布，显著延长功率模块的使用寿命，降低故障率。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器设计中引入该控制策略，以提升产品在高温、高负载环境下的可靠性，并优化散热系统设计，从而进一步降低运维成本，提升iSolarCloud平台的资产管理效率。