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采用准两电平运行方式减小钳位二极管体积的SiC三电平中点钳位变换器
SiC Three-Level Neutral-Point-Clamped Converter With Clamping Diode Volume Reduction Using Quasi-Two-Level Operation
| 作者 | Xiang Lin · Dong Dong |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年8月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 三电平 宽禁带半导体 多电平 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 中点钳位 (NPC) 变换器 准两电平运行 中压 功率密度 钳位二极管 多电平变换器 |
语言:
中文摘要
中压SiC MOSFET在固态变压器和多电平变换器领域备受关注。本文提出一种准两电平运行方式,旨在优化三电平中点钳位(NPC)变换器中钳位二极管的体积。通过该方法,可有效简化高压应用中的电压平衡问题,提升功率密度,为高频、高功率密度变换器设计提供新思路。
English Abstract
Medium voltage SiC mosfets have recently garnered considerable attention in the medium-voltage high-power areas like high-frequency solid-state transformers and multilevel converters. While direct series connection of these mosfets is an option for higher voltage levels, it requires complex voltage balancing approaches for device voltage balancing during fast switching transients. Alternatively, c...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏和储能系统向更高电压等级(如1500V及以上)和更高功率密度演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。准两电平运行方式能有效降低钳位二极管的损耗与体积,有助于进一步缩小逆变器和PCS的体积,提升系统功率密度。建议研发团队关注该拓扑在提升中压变流器效率及降低散热成本方面的潜力,并评估其在下一代高频化储能变流器中的应用可行性。