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外延高介电势垒AlBN/GaN高电子迁移率晶体管
Epitaxial high-K barrier AlBN/GaN HEMTs
| 作者 | Chandrashekhar Savant · Kazuki Nomoto · Saurabh Vishwakarma · Siyuan Ma |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 11 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | AlBN/GaN HEMTs 外延 高K势垒 应用物理快报 2025年 |
语言:
中文摘要
报道了一种基于外延生长的高介电常数（high-K）AlBN势垒层的GaN基高电子迁移率晶体管（HEMTs）。通过分子束外延技术实现了高质量AlBN与GaN之间的异质集成，显著增强了极化诱导的二维电子气浓度。该器件展现出优异的栅控能力、高击穿电压和低泄漏电流，得益于AlBN的高导带偏移和大带隙特性。研究为下一代高频、高功率电子器件提供了具有潜力的材料平台和技术路径。
English Abstract
Chandrashekhar Savant, Thai-Son Nguyen, Kazuki Nomoto, Saurabh Vishwakarma, Siyuan Ma, Akshey Dhar, Yu-Hsin Chen, Joseph Casamento, David J. Smith, Huili Grace Xing, Debdeep Jena; Epitaxial high-K barrier AlBN/GaN HEMTs. _Appl. Phys. Lett._ 17 March 2025; 126 (11): 112906.
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SunView 深度解读
该AlBN/GaN HEMT技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。高介电常数势垒层设计可提升GaN器件的栅控性能和击穿电压,有助于开发更高效的功率开关管。这项技术可应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率级设计,提升系统功率密度。特别是在1500V大功率系统中,该技术有望降低开关损耗、提高器件可靠性。对阳光电源而言,这为开发新一代高频化、小型化的变换器产品提供了器件级支撑,有助于提升产品竞争力。建议持续跟踪该技术的产业化进展,为未来产品创新储备关键器件技术。