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180 °C无压烧结银芯片互连技术在电力电子封装中的应用
Pressureless Sintered-Silver Die-Attach at 180 °C for Power Electronics Packaging
| 作者 | Meiyu Wang · Yun-Hui Mei · Jingyou Jin · Shi Chen · Xin Li · Guo-Quan Lu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 无压烧结 银浆 芯片互连 电力电子封装 热应力 三峰系统 可靠性 |
语言:
中文摘要
本文开发了一种三峰银浆，通过使用三峰系统和170 °C可去除有机剂，实现了在180 °C下的无压烧结。该技术在电力电子封装中具有重要意义，能够有效降低残余热机械应力，避免芯片损伤，并实现高致密度的键合层，从而提升功率模块的可靠性。
English Abstract
Die attachment by pressureless silver sintering at <; 200 °C is significant for power electronic packaging because it can relieve residual thermo-mechanical stress and avoid chip damage. In this letter, we developed a trimodal-silver paste capable of pressureless sintering at as low as 180 °C due to the usage of trimodal-system and 170 °C removable organics agents. The bondline could be densified ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的功率模块封装工艺具有极高的参考价值。随着光伏逆变器和储能PCS向高功率密度、高可靠性方向发展，SiC等宽禁带半导体应用日益广泛，传统的焊料连接已难以满足严苛的热循环需求。无压烧结银技术不仅能提升模块的导热性能和耐高温能力，还能通过降低烧结温度减少芯片热应力，直接提升组串式逆变器及PowerTitan储能系统核心功率模块的寿命与可靠性。建议研发团队关注该工艺在功率模块封装产线中的导入可行性，以优化散热设计并降低封装成本。