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一种基于开通栅极电压过冲的IGBT模块键合线故障检测新方法
A Novel Bond Wire Fault Detection Method for IGBT Modules Based on Turn-on Gate Voltage Overshoot
| 作者 | Yanyong Yang · Pinjia Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年7月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT模块 键合线老化 故障检测 开通栅极电压 杂散电感 可靠性 电力电子 |
语言:
中文摘要
键合线脱落是IGBT模块常见的失效模式。本文提出了一种基于IGBT开通栅极电压过冲的键合线故障检测新方法。研究发现，键合线脱落程度会改变栅极电荷回路的杂散电感，进而显著影响开通栅极电压的过冲特性，该方法可有效用于功率模块的健康状态监测。
English Abstract
Bond wire degradation is one of the most common failure modes for wire-welded packaging insulated-gate bipolar transistor (IGBT) modules. This article proposes a novel bond wire detection method based on IGBT turn-on gate voltage overshoot. The degree of bond wires lift-off will change the stray inductance of the gate charge loop circuit, and therefore has a strong influence on turn-on gate voltag...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线至关重要。作为光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统的核心功率器件，IGBT的可靠性直接决定了设备的寿命与运维成本。通过监测栅极电压过冲实现键合线故障的早期预警，可集成至iSolarCloud智能运维平台，实现从“事后维修”向“预测性维护”的转型。建议在组串式逆变器和储能PCS的驱动电路设计中引入该监测逻辑，提升产品在严苛环境下的长期运行可靠性，降低现场运维压力。