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用于具有单开关属性的固态直流断路器的超低通态电压IGCT
Ultra-Low on-State Voltage IGCT for Solid-State DC Circuit Breaker With Single-Switching Attribute
| 作者 | Jiapeng Liu · Zhanqing Yu · Wenpeng Zhou · Zhengyu Chen · Chunpin Ren · Biao Zhao · Fengying Wang · Weifeng Ji · Meng Li · Rong Zeng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGCT 固态直流断路器 SS-DCCB 通态电压 功率器件 半导体 开关特性 |
语言:
中文摘要
固态直流断路器(SS-DCCB)的性能主要取决于功率器件的通态特性。本文开发了一种用于SS-DCCB的优化低通态电压集成门极换流晶闸管(LO-IGCT)。研究分析了基区长度、载流子寿命和发射极注入效率等器件参数对通态电压的影响,并进行了优化设计。
English Abstract
The performance of solid-state dc circuit breaker (SS-DCCB) is mainly determined by the on-state feature of power device. In this article, an optimized low on-state voltage integrated gate-commutated thyristor (LO-IGCT) for SS-DCCB is developed. First, the impacts of device parameters, including base length, carrier lifetime, and emitter injection efficiencies, on on-state voltage are presented. T...
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SunView 深度解读
直流断路器技术是高压直流输电及大型储能系统安全保护的核心。IGCT作为一种高压大功率器件,其通态损耗的降低直接提升了SS-DCCB的效率并降低了散热成本。对于阳光电源的PowerTitan等大型储能系统及直流侧保护方案,该技术有助于提升系统整体转换效率,减少直流侧故障切除时的能量损耗。建议研发团队关注该器件在高压直流侧的应用潜力,特别是在大型光储电站直流汇流保护场景中,以替代传统机械断路器,实现更快的故障响应与更低的运行损耗。