← 返回
具有ScAlN势垒的GaN HEMT实现低于100 Ω/□的方块电阻
Sub-100 Ω/□ sheet resistance of GaN HEMT with ScAlN barrier
| 作者 | Jiangnan Liu · Pat Kezer · Md Tanvir Hasan · Ding Wang |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 127 卷 第 5 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT ScAlN势垒 薄层电阻 应用物理快报 2025年 |
语言:
中文摘要
本文报道了采用钪铝氮（ScAlN）势垒层的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），实现了低于100 Ω/□的极低方块电阻。通过优化ScAlN组分与外延生长工艺，显著提升了二维电子气浓度并降低了接触电阻，从而大幅改善器件的导通特性。透射电子显微镜与X射线衍射分析证实了高质量异质结构的形成。该成果为高性能射频与功率电子器件提供了有前景的技术路径。
English Abstract
Jiangnan Liu, Pat Kezer, Md Tanvir Hasan, Ding Wang, Shubham Mondal, Md Mehedi Hasan Tanim, Jie Zhang, Danhao Wang, Kai Sun, John Heron, Zetian Mi; Sub-100 Ω/□ sheet resistance of GaN HEMT with ScAlN barrier. _Appl. Phys. Lett._ 4 August 2025; 127 (5): 052107.
S
SunView 深度解读
该ScAlN势垒GaN HEMT技术对阳光电源的高频功率变换产品具有重要应用价值。方块电阻低于100Ω/□的特性可显著提升器件开关性能和导通特性,适用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中的高频DC-DC环节,有助于提高功率密度。特别是在1500V系统中,该技术可降低开关损耗,提升系统效率。同时,低接触电阻特性也适合应用于车载OBC等对功率密度要求较高的场景。建议在下一代产品中开展该GaN器件的工程验证,重点评估其在高频软开关拓扑中的应用效果。