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拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 2.0

自触发高频纳秒脉冲发生器

Self-Triggering High-Frequency Nanosecond Pulse Generator

作者 Weirong Zeng · Chenguo Yao · Shoulong Dong · Yilin Wang · Jianhao Ma · Yingjiang He · Liang Yu
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2020年8月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 功率模块 宽禁带半导体
相关度评分 ★★ 2.0 / 5.0
关键词 高压 纳秒脉冲发生器 电路拓扑 自触发 电力电子 紧凑型设计
语言:

中文摘要

随着全固态高压纳秒脉冲发生器在国防及工业领域的广泛应用,传统脉冲发生器在驱动隔离、紧凑化设计及减重方面面临挑战。本文提出了一种新型自触发高频纳秒脉冲发生器电路拓扑,旨在解决上述关键技术瓶颈。

English Abstract

With the increasingly extensive and in-depth applications of all solid-state high-voltage nanosecond pulse generators in the defense and industrial fields, the development of traditional pulse generators faces many key issues, such as high-voltage drive isolation, compact design, and reduced weight. Hence, a novel circuit topology for a self-triggered high-frequency nanosecond pulse generator is p...
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SunView 深度解读

该文献研究的高频纳秒脉冲发生技术主要针对高压脉冲应用,与阳光电源现有的光伏逆变器及储能PCS产品线直接关联度较低。然而,其涉及的紧凑化设计理念及高压驱动隔离技术,对公司未来探索更高功率密度、更小体积的功率模块设计具有参考价值。建议关注该拓扑在功率器件驱动保护电路中的潜在应用,特别是针对SiC/GaN等宽禁带半导体在高频开关过程中的驱动优化,以进一步提升公司产品的功率密度和电磁兼容性。