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基于碳化硅的双T型驱动系统预测转矩控制与电容平衡
Predictive Torque Control and Capacitor Balancing of a SiC-Based Dual T-Type Drive System
| 作者 | Aboubakr Salem · Mohamed Mamdouh · Mohammad A. Abido |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年3月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 三电平 模型预测控制MPC 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC分立半导体 双三电平T型变换器 模型预测控制 电容电压平衡 开绕组感应电机 转矩控制 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于碳化硅(SiC)离散器件的双三电平T型变换器电容电压平衡新方法。该方案应用于开口绕组感应电机驱动系统,通过模型预测控制(MPC)同时实现直流侧电容电压平衡与电机转矩控制,优化了变换器的动态性能与稳定性。
English Abstract
This paper proposes a new approach for the capacitor balancing of a dual three-level T-type converter based on silicon carbide discrete semiconductors. This study is performed while the converter feeds an open-end induction motor. The model predictive control (MPC) scheme is developed to balance the dc-link capacitors and to control the machine torque simultaneously. The proposed technique for MPC...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能变流器(PCS)具有重要参考价值。T型三电平拓扑是阳光电源高效逆变产品的核心技术之一,引入SiC器件可显著提升功率密度与转换效率。文中提出的MPC电容平衡策略,可直接优化PowerTitan等储能系统在多电平拓扑下的直流侧电压稳定性,降低对大容量电容的依赖,从而提升系统可靠性。建议研发团队关注SiC在T型拓扑下的高频开关损耗优化及MPC算法的计算资源占用,以进一步提升产品竞争力。