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二极管反向恢复效应对氮化镓基LLC谐振变换器ZVS条件的影响分析
Analysis of Diode Reverse Recovery Effect on ZVS Condition for GaN-Based LLC Resonant Converter
| 作者 | Hao Wen · Jinwu Gong · Xiaonan Zhao · Chih-Shen Yeh · Jih-Sheng Lai |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年12月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | LLC谐振 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | LLC 谐振变换器 ZVS GaN 反向恢复 结电容 电力电子 副边整流器 |
语言:
中文摘要
LLC谐振变换器可实现原边开关管的零电压开关（ZVS）和副边整流器的零电流开关（ZCS）。然而，副边二极管的反向恢复特性及结电容对原边开关管的ZVS条件具有关键影响。本文重点研究了反向恢复效应对ZVS实现的影响，为高频高效变换器设计提供了理论依据。
English Abstract
LLC resonant converter can achieve zero voltage switching (ZVS) for primary-side devices and zero current switching (ZCS) for secondary-side rectifiers. However, the reverse recovery and junction capacitance (Cj) of secondary-side diode critically affect the ZVS condition of primary-side switches. The effect of Cj has been discussed in literature, but not the reverse recovery. In this paper, the r...
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SunView 深度解读
该研究针对高频高效LLC变换器中GaN器件的应用，对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升，GaN器件在小功率DC-DC变换环节的应用日益广泛。本文揭示的副边二极管反向恢复对ZVS的影响，有助于优化阳光电源高频变换电路的驱动策略与死区时间设置，从而降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队在开发新一代高功率密度户用逆变器及充电模块时，重点评估该效应以优化软开关边界，提升产品可靠性。