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| 作者 | Weijian Jin · Albert Ting Leung Lee · Siew-Chong Tan · Shu Yuen Hui |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年11月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氮化镓 GaN SIMO逆变器 DC-AC逆变器 多频率 电力电子 时间复用开关 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于氮化镓（GaN）器件的单电感多输出（SIMO）直流-交流逆变器，能够同时产生多种频率的类正弦交流输出。利用GaN晶体管无寄生体二极管的特性及特定的时分复用开关序列，该拓扑实现了多频率输出，显著提升了功率密度与电路集成度。
English Abstract
In this paper, a gallium nitride (GaN)-based single-inductor multiple-output (SIMO) dc-ac inverter, which generates multiple frequencies at the ac outputs, is introduced. The proposed time-multiplexed switching sequences enable the SIMO inverter to simultaneously generate sinusoidal-like outputs with different frequencies. In the absence of a parasitic body diode in the GaN transistor and with cor...
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SunView 深度解读
该技术主要涉及功率电子拓扑创新，对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能系统（如PowerStack）具有潜在参考价值。GaN器件的高频特性有助于进一步缩小逆变器体积，提升功率密度。SIMO拓扑在多路输出场景下可减少磁性元件数量，降低系统成本。建议研发团队关注该拓扑在微型逆变器或小型化储能变流器中的应用潜力，重点评估其在高频下的电磁兼容性（EMC）及效率表现，以支持公司产品向更轻量化、高集成度方向演进。