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一种采用双/三移相控制的高效率高功率密度三相电动汽车电池充电器
A Modular-Designed Three-Phase High-Efficiency High-Power-Density EV Battery Charger Using Dual/Triple-Phase-Shift Control
| 作者 | Juncheng Lu · Kevin Bai · Allan Ray Taylor · Guanliang Liu · Alan Brown · Philip Michael Johnson · Matt McAmmond |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年9月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 充电桩 功率模块 GaN器件 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 电动汽车(EV)充电器 高功率密度 模块化设计 双/三移相控制 三相电网 |
语言:
中文摘要
本文构建了一款基于增强型氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的7.2kW单相充电器模块。通过将三个此类模块连接至三相电网，实现了总功率约22kW的三相充电系统。该系统效率超过97%，功率密度超过3.3kW/L，性能优于现有的硅基充电器。
English Abstract
In this paper, an enhancement-mode GaN high-electron mobility transistor (HEMT)-based 7.2-kW single-phase charger was built. Connecting three such single-phase modules to the three-phase grid, respectively, generates a three-phase ∼22-kW charger with the $>{\text{97}}\% $ efficiency and $>{\text{3.3}}-{\rm{kW}/ \rm{L}}$ power density, superior to present Si-device-based chargers. In addition to G...
S
SunView 深度解读
该研究采用的GaN功率器件及模块化设计方案，对阳光电源电动汽车充电桩产品线具有重要参考价值。高功率密度和高效率是充电桩市场的核心竞争力，通过引入GaN宽禁带半导体技术，可显著缩小设备体积并降低散热成本。建议研发团队关注该拓扑在直流快充桩中的应用潜力，特别是在提升模块化充电功率密度方面，以优化阳光电源充电桩产品的市场竞争力，并为未来向更高电压平台演进提供技术储备。