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基于GaN FET和平面磁性元件的1 MHz半桥谐振DC/DC变换器

A 1 MHz Half-Bridge Resonant DC/DC Converter Based on GaN FETs and Planar Magnetics

作者 Yueshi Guan · Yijie Wang · Dianguo Xu · Wei Wang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2017年4月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 DC-DC变换器 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 1 MHz 半桥谐振变换器 GaN FETs 平面磁性元件 软开关 功率密度 效率
语言:

中文摘要

本文提出了一种基于GaN FET和平面磁性元件的1 MHz半桥谐振DC/DC变换器,旨在提升系统效率与功率密度。通过优化谐振网络,实现了小阻抗角下的软开关特性,显著降低了开关管与二极管的损耗。

English Abstract

A 1 MHz half-bridge resonant dc/dc converter based on GaN FETs and planar magnetics is proposed in this paper, which improves the system efficiency and power density. The resonant network can achieve satisfactory soft-switching characteristics based on a small impedance angle, which greatly reduces the losses of switches and diodes. The losses characteristics during the turn-on and turn-off transi...
S

SunView 深度解读

该研究聚焦于高频化与高功率密度设计,对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能PCS产品具有重要参考价值。GaN器件的应用能有效减小磁性元件体积,提升整机功率密度,符合当前户用产品轻量化、小型化的发展趋势。建议研发团队关注该拓扑在小功率DC-DC级中的应用,通过平面变压器技术优化散热与EMI设计,进一步提升阳光电源在户用光储一体化产品中的竞争优势。