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混合器件并网逆变器的效率提升
Efficiency Improvement of Grid Inverters With Hybrid Devices
| 作者 | Ye Wang · Min Chen · Cheng Yan · Dehong Xu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年8月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | IGBT SiC器件 三电平 并网逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 混合开关 Si IGBT SiC MOSFET T型三电平 并网逆变器 效率提升 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文在三相T型三电平并网逆变器中，采用大电流硅（Si）IGBT与小电流碳化硅（SiC）MOSFET组合的混合开关方案。该方案在保证高效率的同时，有效优化了系统成本。
English Abstract
In this paper, a hybrid switch with the combination of large-current silicon (Si) insulated gate bipolar transistor (IGBT) and small-current silicon carbide (SiC) metal-oxide semiconductor field-effect transistor (mosfet) is utilized in a three-phase T-type three-level grid inverter. The hybrid switch can optimize the cost of the system while achieving high efficiency. The relationship between eff...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器产品线具有极高的应用价值。通过在T型三电平拓扑中引入Si/SiC混合开关，可以在不完全替换为昂贵全SiC器件的前提下，显著降低开关损耗，提升整机效率，同时控制物料成本。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器设计中评估该方案，特别是在追求极致效率的工商业及地面电站产品中，利用SiC器件辅助实现软开关或降低关断损耗，从而提升阳光电源在市场中的成本竞争力与能效优势。