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并联电容对任意导通时间下电流模式DE类功率放大器性能的影响
Effect of Shunt Capacitances on Performance of Current-Mode Class-DE Power Amplifier at Any Active Time
| 作者 | Akram Sheikhi · Abdolali Abdipour · Andrei Grebennikov · Hossein Hemesi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年8月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 电流模式Class-DE 功率放大器 并联电容 零电流开关 ZCDS 电力电子 开关损耗 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种电流模式DE类（CMCDE）功率放大器。分析了在任意导通时间下，满足零电流开关（ZCS）和零电流导数开关（ZCDS）条件的线性并联电容CMCDE电路，并进行了仿真与实验验证。文中给出了导通时间为π/2时的解析理论、设计仿真及实验结果。
English Abstract
In this paper, a current-mode Class-DE (CMCDE) power amplifier is presented. The CMCDE with linear shunt capacitance under zero-current switching (ZCS) and zero current-derivative switching (ZCDS) conditions at any active time is analyzed, simulated, and fabricated. An analytical theory along with the design simulation and verification by experimental results at active time τd = π/2 are given. It ...
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SunView 深度解读
该研究探讨了高频开关电路中并联电容对软开关（ZCS/ZCDS）性能的影响，这对提升电力电子变换器的功率密度和效率具有理论参考价值。对于阳光电源而言，该技术可应用于下一代高频化光伏逆变器或小型化储能变流器（PCS）的功率级设计。通过优化开关过程中的寄生参数匹配，有助于降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队关注该拓扑在高频化、小型化场景下的应用潜力，特别是在结合宽禁带半导体（如GaN/SiC）器件时的性能优化，以进一步提升组串式逆变器及户用储能产品的竞争力。