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考虑边缘电场的铜箔中压滤波电感寄生电容建模
Parasitic Capacitance Modeling of Copper-Foiled Medium-Voltage Filter Inductors Considering Fringe Electrical Field
Hongbo Zhao · Zhizhao Huang · Dipen Narendra Dalal · Jannick Kjaer Jorgensen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文针对铜箔中压电感中的三种寄生电容进行了特性分析。研究发现，传统建模方法忽略了边缘电场效应，导致寄生电容计算不准确。为此，本文识别了由边缘电场贡献的寄生电容，并提出了改进的建模方法以提高电感高频特性的预测精度。
解读: 该研究对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中的中压滤波电感设计具有重要参考价值。随着功率密度提升，高频寄生参数对电磁兼容（EMC）和效率的影响日益显著。通过引入边缘电场修正模型，研发团队可优化电感绕组结构，降低高频损耗，提升逆变器及PCS产品的功率密度和可靠性...
基于柔性PCB的三维集成SiC半桥功率模块及其三面冷却超低电感混合封装结构
Flexible PCB-Based 3-D Integrated SiC Half-Bridge Power Module With Three-Sided Cooling Using Ultralow Inductive Hybrid Packaging Structure
Cai Chen · Zhizhao Huang · Lichuan Chen · Yifan Tan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月
碳化硅（SiC）器件具备高开关速度和高频率特性，但传统引线键合封装带来的寄生电感限制了其性能，易导致电压过冲与振荡。本文提出一种基于柔性PCB的三维集成SiC半桥功率模块，通过混合封装结构实现超低回路电感，并采用三面冷却技术提升散热能力，有效解决了高频应用中的封装瓶颈。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的寄生电感抑制与散热管理成为提升效率的关键。该三维集成封装方案能显著降低开关损耗，提升逆变器功率密度，并改善高温环境下的可靠性。建议研发团队关注该柔性PCB封装工...
基于改进开关模型的SiC MOSFET超低关断损耗现象研究
Investigation on Ultralow Turn-off Losses Phenomenon for SiC MOSFETs With Improved Switching Model
Yue Xie · Cai Chen · Yiyang Yan · Zhizhao Huang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
传统SiC MOSFET开关模型在小驱动电阻和小负载电流条件下无法精确预测关断损耗，原因在于未考虑SiC MOSFET在二极管进入续流状态前关闭沟道的特殊情况。本文提出了一种改进的SiC MOSFET关断模型，以解决这一预测偏差问题。
解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器实现高功率密度和高效率的核心器件。该研究提出的改进开关模型能更精准地评估器件在轻载及特定驱动条件下的损耗，有助于优化逆变器和PCS的驱动电路设计，提升整机效率。建议研发团队将该模型集成至仿真平台，以优化高...