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高温O2退火对Al2O3/Ga2O3界面质量的影响
The effect of O2 high-temperature annealing on the quality of Al2O3/Ga2O3 interface
Chunyan Chen · Yutong Wu · Bing Jiang · Zhixiang Zhong 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
深圳大学材料科学与工程学院、电子与信息工程学院、射频异质集成国家重点实验室、功率器件与人工智能能源监测技术研究所研究了高温O2退火对Al2O3/Ga2O3界面特性的影响。通过不同温度退火处理,系统分析了界面态密度、固定电荷及界面缺陷的演变规律,发现适当高温退火可有效降低界面态密度,提升界面质量。结果表明,退火有助于改善介质/半导体界面的化学稳定性和电学性能,为高性能β-Ga2O3功率器件的优化提供理论依据和技术支持。
解读: 该Al2O3/Ga2O3界面优化技术对阳光电源功率器件研发具有重要价值。β-Ga2O3作为超宽禁带半导体(Eg~4.8eV),其击穿场强是SiC的3倍,适用于高压大功率应用场景。研究揭示的高温O2退火工艺可降低介质/半导体界面态密度,直接提升MOS栅结构的可靠性和开关特性,可应用于:1)ST系列储能...
基于BTB-VSC的SNOP无缝集成控制方法
A Seamless Integrated Control Method for SNOP Based on BTB-VSC
Xuze Wang · Wu Chen · Haixi Zhao · Jianxi Lan 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月
为适应可再生能源的接入,软常开点(SNOP)被用于提升交流配电网的灵活性。背靠背电压源换流器(BTB-VSC)是常用的SNOP拓扑,现有控制方法通常一端控直流电压,另一端控功率或交流电压,但依赖于断路器与控制模式的同步切换。本文提出一种将SNOP视为等效串并联模块的集成控制方法:并网时建模为统一潮流控制器(UPFC)实现潮流调控;短路或孤岛时则等效为阻抗,有效抑制短路电流并自适应支撑孤岛电压。设计了并网过程中的预同步策略,并建立小信号模型以整定参数。实验平台验证了该方法在不间断传输与并网运行下的...
解读: 该SNOP集成控制技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan储能系统具有重要应用价值。BTB-VSC的UPFC等效建模可直接应用于储能系统的并网控制,实现潮流灵活调控;短路电流抑制与孤岛自适应支撑功能可增强ST储能变流器的电网适应性,提升构网型GFM控制性能。预同步并网策略可优化储能系统...
超级电容器研究中的能量存储:从分子模拟到机器学习的跨学科应用
Energy storage in supercapacitor researches: Interdisciplinary applications from molecular simulations to machine learning
Yawen Dong1 · Yutong Liu1 · Feifei Mao · Hua Wu · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.393
摘要 科学界持续关注超级电容器(SCs),因其在环境保护和能量存储方面具有重要意义。超级电容器的性能取决于比容量、循环稳定性、功率密度和能量密度等关键特性,其中电极材料的性能、电极与电解质之间的相互作用以及电极表面或层间的电荷转移过程,对超级电容器整体性能具有显著影响。在超级电容器的研究领域中,计算模拟的应用至关重要,因其具备强大的模拟计算与预测能力。本文综述了近年来利用密度泛函理论(DFT)和机器学习(ML)技术设计与优化超级电容器的最新进展。我们总结了DFT在理解电极材料的电子结构、电荷存储...
解读: 该超级电容器研究整合DFT、分子动力学与机器学习的方法论,对阳光电源储能系统具有重要价值。在ST系列PCS和PowerTitan产品中,可借鉴ML技术优化电极材料设计,提升功率密度和循环寿命;将SOH预测算法应用于iSolarCloud平台,实现储能设备健康状态智能监测;结合SiC器件特性,通过计算...
耐受1.27 GW/cm²反向阻断的E型GaN-Si(100)单片异质集成级联开关
1.27 GW/cm² Reverse Blocking E-Mode GaN-Si(100) Monolithic Heterogeneous Integration Cascode Switch With Ultralow Turn-On Voltage and Dynamic RON
Yutong Fan · Weihang Zhang · Yachao Zhang · Yinhe Wu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
在本文中,展示了一种在具有氮化铝(AlN)缓冲层的碳化硅(SiC)衬底上实现的具有反向阻断兼容性的增强型(E - Mode)氮化镓 - 硅(GaN - Si(100))单片异质集成共源共栅开关(RBMHIC - 开关)。栅漏间距(LGD)小于 22 微米的 RBMHIC - 开关的阈值电压(VTH)为 2.64 V,正向栅极电压摆幅达 16.27 V,导通电压(VON)为 0.3 V,在 - 2000 V 时反向漏电流(IR)极低,仅为 3.5×10⁻⁴ mA/mm。该开关实现了 2264 V ...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN-Si异质集成反向阻断开关技术具有显著的战略价值。该器件实现了1.27 GW/cm²的功率品质因数,这一指标直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的功率密度提升潜力。 该技术的核心优势在于三个方面与我们的产品需求高度契合:首先,2200V级的双向阻断能力配合极低的...