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电动汽车驱动
★ 4.0
高温O2退火对Al2O3/Ga2O3界面质量的影响
The effect of O2 high-temperature annealing on the quality of Al2O3/Ga2O3 interface
| 作者 | Chunyan Chen · Yutong Wu · Bing Jiang · Zhixiang Zhong · Fan Yang · Xinke Liu |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 127 卷 第 6 期 |
| 技术分类 | 电动汽车驱动 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 深圳大学 材料科学与工程学院 电子与信息工程学院 射频异构集成 功率器件与人工智能能源监测技术研究所 |
语言:
中文摘要
深圳大学材料科学与工程学院、电子与信息工程学院、射频异质集成国家重点实验室、功率器件与人工智能能源监测技术研究所研究了高温O2退火对Al2O3/Ga2O3界面特性的影响。通过不同温度退火处理，系统分析了界面态密度、固定电荷及界面缺陷的演变规律，发现适当高温退火可有效降低界面态密度，提升界面质量。结果表明，退火有助于改善介质/半导体界面的化学稳定性和电学性能，为高性能β-Ga2O3功率器件的优化提供理论依据和技术支持。
English Abstract
College of Materials Science and Engineering, College of Electronics and Information Engineering, State Key Laboratory of Radio Frequency Heterogeneous Integration, Institute of Power Devices and AI Energy Monitoring Technology, Shenzhen University
S
SunView 深度解读
该Al2O3/Ga2O3界面优化技术对阳光电源功率器件研发具有重要价值。β-Ga2O3作为超宽禁带半导体（Eg~4.8eV），其击穿场强是SiC的3倍，适用于高压大功率应用场景。研究揭示的高温O2退火工艺可降低介质/半导体界面态密度，直接提升MOS栅结构的可靠性和开关特性，可应用于：1）ST系列储能变流器的1500V高压功率模块，降低开关损耗；2）SG系列光伏逆变器的三电平拓扑设计，提升转换效率；3）电动汽车驱动系统的高频功率开关，增强热稳定性。该界面工程技术为阳光电源布局下一代Ga2O3功率器件、突破SiC性能瓶颈提供了工艺路径和理论支撑。