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电动汽车驱动 ★ 4.0

高温O2退火对Al2O3/Ga2O3界面质量的影响

The effect of O2 high-temperature annealing on the quality of Al2O3/Ga2O3 interface

Chunyan Chen · Yutong Wu · Bing Jiang · Zhixiang Zhong 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

深圳大学材料科学与工程学院、电子与信息工程学院、射频异质集成国家重点实验室、功率器件与人工智能能源监测技术研究所研究了高温O2退火对Al2O3/Ga2O3界面特性的影响。通过不同温度退火处理,系统分析了界面态密度、固定电荷及界面缺陷的演变规律,发现适当高温退火可有效降低界面态密度,提升界面质量。结果表明,退火有助于改善介质/半导体界面的化学稳定性和电学性能,为高性能β-Ga2O3功率器件的优化提供理论依据和技术支持。

解读: 该Al2O3/Ga2O3界面优化技术对阳光电源功率器件研发具有重要价值。β-Ga2O3作为超宽禁带半导体(Eg~4.8eV),其击穿场强是SiC的3倍,适用于高压大功率应用场景。研究揭示的高温O2退火工艺可降低介质/半导体界面态密度,直接提升MOS栅结构的可靠性和开关特性,可应用于:1)ST系列储能...

储能系统技术 储能系统 ★ 4.0

增强的VCSEL偏振锁定

Enhanced polarization locking in VCSELs

Zifeng Yuan · Dewen Zhang · Lei Shi · Yutong Liu · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

尽管垂直腔面发射激光器(VCSELs)的光注入锁定(OIL)已得到广泛研究,但其偏振动力学特性关注较少。近期研究表明,通过OIL实现偏振锁定有望应用于偏振编码的伊辛计算机等新型计算领域。然而,VCSEL固有的偏振偏好性和有限的偏振可切换性限制了其在此类应用中的使用。为此,我们设计了特定氧化物孔径结构的VCSEL,并结合偏置电流调谐,系统研究其对偏振锁定性能的影响。实验结果表明,该方法显著降低了所需注入功率(低至3.6 μW),并拓宽了锁定范围。基于自旋翻转模型的理论分析进一步揭示了幅度各向异性和...

解读: 该VCSEL偏振锁定技术对阳光电源储能系统的光纤通信和传感应用具有潜在价值。在PowerTitan大型储能系统中,分布式BMS与PCS间需要高可靠性光纤通信,VCSEL的低功耗偏振锁定特性(3.6μW注入功率)可优化光模块能效。偏振编码技术可增强iSolarCloud云平台与现场设备间的通信抗干扰能...

风电变流技术 储能系统 ★ 5.0

风电功率预测中若干关键过程的综述:数学表达、科学问题与逻辑关系

Review of several key processes in wind power forecasting: Mathematical formulations, scientific problems, and logical relations

Mao Yang · Yutong Huang · Chuanyu Xu · Chenyu Liu 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.377

摘要 风电功率预测(WPF)是大规模风电场并网运行下电力系统调度的关键技术。随着特征信息的不断丰富和计算机科学的发展,相关研究大量涌现。本文综述了特征挖掘方法和最新的预测模型结构,旨在为该领域提供最新的研究视角。文章将WPF过程方法划分为时频域分析、特征工程和预测器结构三个部分。首先,总结了各部分的整体与详细数学表达式,以提供更具普适性的WPF过程方法研究框架。特别地,在每一部分中,创新性地基于典型科学问题梳理了最新模型之间的逻辑关系。此外,本文还归纳了六种解决关键科学或工程问题的前沿预测器结构...

解读: 该风电功率预测技术对阳光电源储能系统(ST系列PCS、PowerTitan)具有重要应用价值。多源数据融合与时频域分析方法可优化储能系统的充放电策略,提升风储协同控制精度。特征工程与预测模型可集成至iSolarCloud平台,实现预测性维护与智能调度。文中提出的数据质量与可解释性挑战,与阳光电源GF...

电动汽车驱动 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

耐受1.27 GW/cm²反向阻断的E型GaN-Si(100)单片异质集成级联开关

1.27 GW/cm² Reverse Blocking E-Mode GaN-Si(100) Monolithic Heterogeneous Integration Cascode Switch With Ultralow Turn-On Voltage and Dynamic RON

Yutong Fan · Weihang Zhang · Yachao Zhang · Yinhe Wu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月

在本文中,展示了一种在具有氮化铝(AlN)缓冲层的碳化硅(SiC)衬底上实现的具有反向阻断兼容性的增强型(E - Mode)氮化镓 - 硅(GaN - Si(100))单片异质集成共源共栅开关(RBMHIC - 开关)。栅漏间距(LGD)小于 22 微米的 RBMHIC - 开关的阈值电压(VTH)为 2.64 V,正向栅极电压摆幅达 16.27 V,导通电压(VON)为 0.3 V,在 - 2000 V 时反向漏电流(IR)极低,仅为 3.5×10⁻⁴ mA/mm。该开关实现了 2264 V ...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项GaN-Si异质集成反向阻断开关技术具有显著的战略价值。该器件实现了1.27 GW/cm²的功率品质因数,这一指标直接关系到我们光伏逆变器和储能变流器的功率密度提升潜力。 该技术的核心优势在于三个方面与我们的产品需求高度契合:首先,2200V级的双向阻断能力配合极低的...