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基于虚拟阻抗的下垂控制直流微电网中超级电容器能量管理策略
Energy Management Strategy for Supercapacitor in Droop-Controlled DC Microgrid Using Virtual Impedance
Yuru Zhang · Yun Wei Li · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年4月
本文提出了一种针对下垂控制直流微电网的超级电容器能量管理策略。通过引入虚拟阻抗，超级电容器储能系统（SCESS）可作为独立单元接入微电网，有效平抑负载或源端的功率波动，提升电能质量，并延长分布式发电及其他储能系统的使用寿命。
解读: 该研究对于阳光电源的PowerTitan及PowerStack系列储能系统具有重要参考价值。在直流微电网或光储一体化应用中，超级电容器与锂电池的混合储能方案能有效应对高频功率波动，减少电池频繁充放电带来的损耗。通过引入虚拟阻抗优化下垂控制，可提升系统在弱电网环境下的并网稳定性与动态响应能力。建议研发...
一种用于高压高频应用的新型常关型SiC-JFET/GaN-HEMT共封装级联器件
A Normally-off Copackaged SiC-JFET/GaN-HEMT Cascode Device for High-Voltage and High-Frequency Applications
Gang Lyu · Yuru Wang · Jin Wei · Zheyang Zheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月
本文展示了一种1200V/100mΩ的碳化硅（SiC）JFET与氮化镓（GaN）HEMT混合功率开关。该器件采用倒装芯片共封装级联配置，结合了垂直型SiC JFET的高压阻断能力与横向GaN HEMT的低压驱动优势，实现了高压与高频性能的优化。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能变流器具有重要参考价值。通过SiC与GaN的级联封装，可在不牺牲耐压等级的前提下显著提升开关频率，从而进一步缩小磁性元件体积，提升整机功率密度。建议研发团队关注该混合封装技术在下一代高频化、小型化光伏逆变器及储能PCS中的应用潜力，特别是在追求...
基于p-GaN栅极的常关型GaN晶体管在桥臂电路中的开关瞬态分析
Switching Transient Analysis for Normally-off GaN Transistor With p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit
Ruiliang Xie · Xu Yang · Guangzhao Xu · Jin Wei 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月
本文研究了商用常关型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性。分析了栅极区域肖特基结与p-GaN/AlGaN/GaN异质结的电学特性，探讨了p-GaN层在桥臂电路开关瞬态过程中的电位变化及其对器件动态性能的影响，为高频功率变换器的设计提供了理论支撑。
解读: 随着电力电子技术向高频化、高功率密度发展，GaN器件在阳光电源的户用光伏逆变器及小型化充电桩产品中具有巨大的应用潜力。本文对p-GaN栅极GaN器件开关瞬态的深入分析，有助于研发团队优化驱动电路设计，抑制开关过程中的电压振荡与EMI问题，从而提升逆变器效率。建议在下一代高频化户用逆变器及便携式储能产...