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采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT
900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect
Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126
本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管（HEMT），有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构，显著降低了漏极对衬底的电场耦合，从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性，同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。
解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应，解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题，可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求，有源钝...
用于永磁同步电机调速的改进型非线性自抗扰控制及其频域分析
Modified Nonlinear Active Disturbance Rejection Control for PMSM Speed Regulation With Frequency Domain Analysis
Qiankang Hou · Yuefei Zuo · Jinlin Sun · Christopher H. T. Lee 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
针对高性能永磁同步电机（PMSM）驱动系统中鲁棒性与调速平滑性的矛盾，传统自抗扰控制（ADRC）通过提高扩张状态观测器（ESO）带宽来增强抗扰能力，但会放大测量噪声。本文提出一种改进的非线性ADRC策略，通过频域分析优化参数，在保证强抗扰性的同时有效抑制了噪声干扰，提升了系统整体性能。
解读: 该技术主要应用于高性能电机驱动控制，与阳光电源的风电变流器及电动汽车充电桩业务具有较强相关性。在风电变流器中，电机侧控制的鲁棒性直接影响发电机转矩脉动与平稳运行；在充电桩领域，该算法可用于优化充电模块内部风扇电机或液冷系统的控制精度。建议研发团队关注该改进型ADRC在抑制高频噪声方面的优势，将其引入...
桥臂电路中同步SiC MOSFET体二极管引起的负偏置阈值电压不稳定性
Body Diode Induced Negative-Bias Vth Instability of Synchronous SiC MOSFET in Bridge-Leg Circuit
Peixuan Wang · Yunhong Lao · Youyi Yin · Meng Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年6月
本文报道了桥臂电路中同步SiC MOSFET因体二极管引起的负偏置阈值电压（Vth）不稳定性。在反向恢复阶段，体二极管注入的空穴向源极/栅极侧移动，部分空穴轰击栅氧化层，导致栅氧化层缺陷/陷阱产生，进而引起Vth漂移。
解读: 该研究直接关系到阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中SiC功率模块的长期可靠性。随着公司产品向高功率密度、高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。该文揭示的体二极管反向恢复导致的Vth漂移机制，对公司在高温、高频工况下的驱动电路设计及栅极保护策略具有重要指导意义。建...