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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

考虑互感耦合的Cu-Clip互连并联SiC MOSFET动态电流均衡解析与优化策略

Analytical and Optimal Strategy of Dynamic Current Balancing for Paralleled SiC MOSFETs With Cu-Clip Interconnection Considering Mutual Coupled Inductances

Xun Liu · Kun Ma · Yameng Sun · Yifan Song 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年4月

为提升碳化硅(SiC)功率模块的电气性能与可靠性,本文研究采用Cu-Clip替代传统Al引线的技术方案。针对Cu-Clip互连结构中并联SiC MOSFET因布局不对称引入的互感耦合效应,建立了精确的电磁耦合模型,提出一种动态电流均衡的解析分析方法,并进一步设计最优布局优化策略,有效抑制并联支路间的电流不均,提高模块整体性能与热稳定性。

解读: 该研究对阳光电源高功率密度产品的设计具有重要指导意义。Cu-Clip互连技术可显著提升SiC MOSFET模块的电流均衡性和散热性能,适用于ST系列储能变流器、SG系列光伏逆变器等大功率产品。特别是在PowerTitan等MW级储能系统中,优化后的SiC模块布局可有效降低开关损耗、提高功率密度,并通...