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排序:
功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

一种用于VHF变换器中eGaN HEMT的数字自适应驱动方案

A Digital Adaptive Driving Scheme for eGaN HEMTs in VHF Converters

Zhi-Liang Zhang · Zhou Dong · Xue-Wen Zou · Xiaoyong Ren · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年8月

针对甚高频(VHF)变换器中因eGaN控制管与同步整流管驱动时序失配导致的效率下降问题,本文提出了一种数字自适应驱动方案。该方案通过建立状态空间模型,实现了在全输入电压范围内对控制信号和同步整流信号的精确动态调整,有效提升了变换效率。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型化储能产品具有重要参考价值。随着功率密度要求的不断提升,VHF变换技术是实现逆变器小型化、轻量化的关键路径。eGaN器件的应用能显著降低开关损耗,但其对驱动时序极为敏感。该数字自适应驱动方案可优化阳光电源在微型逆变器或高频DC-DC模块中的效率表现,建议研发团队...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

谐振变换器中eGaN HEMT的三电平栅极驱动器

Three-Level Gate Drivers for eGaN HEMTs in Resonant Converters

Zhi-Liang Zhang · Zhou Dong · Dong-Dong Hu · Xue-Wen Zou 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年7月

针对商用eGaN HEMT栅极驱动器在ZVS条件下忽视高反向导通电压的问题,本文提出了一种用于eGaN控制HEMT的三电平栅极驱动器。通过引入中间电平电压,有效降低了反向导通电压,提升了器件在谐振变换器中的运行效率与可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要参考价值。随着功率密度要求的提升,GaN器件在高效DC-DC变换级中的应用日益广泛。该三电平驱动方案能有效解决GaN器件在ZVS软开关过程中的反向导通损耗及电压应力问题,有助于提升阳光电源下一代高频、高效率逆变器及充电桩模块的功率密度。建议研...

拓扑与电路 GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 ★ 3.0

一种10-MHz eGaN隔离式Class-Φ2直流变压器

A 10-MHz eGaN Isolated Class-Φ2 DCX

Zhiliang Zhang · Xue-Wen Zou · Zhou Dong · Yuan Zhou 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月

该文提出了一种基于Class-E谐振变换器衍生的隔离式Class-Φ2谐振变换器。通过在开关管并联分流支路,有效降低了控制FET的电压应力。针对高输入电压下功率FET反向导通时间波动及驱动匹配困难的问题,该拓扑展现了在高频化应用中的优势。

解读: 该研究聚焦于MHz级高频功率变换技术,对阳光电源的未来产品研发具有前瞻性参考价值。在高频化趋势下,eGaN器件的应用能显著缩小功率密度,这对户用光伏逆变器及小型化充电桩产品线具有潜在的技术迭代意义。然而,目前该拓扑主要针对DCX(直流变压器)应用,在阳光电源现有的组串式逆变器或PowerTitan储...