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一种10-MHz eGaN隔离式Class-Φ2直流变压器
A 10-MHz eGaN Isolated Class-Φ2 DCX
| 作者 | Zhiliang Zhang · Xue-Wen Zou · Zhou Dong · Yuan Zhou · Xiaoyong Ren |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年3月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | GaN器件 DC-DC变换器 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | Class-Φ2谐振变换器 eGaN 直流变压器 (DCX) 高频 电压应力 功率FET 谐振变换器 |
语言:
中文摘要
该文提出了一种基于Class-E谐振变换器衍生的隔离式Class-Φ2谐振变换器。通过在开关管并联分流支路，有效降低了控制FET的电压应力。针对高输入电压下功率FET反向导通时间波动及驱动匹配困难的问题，该拓扑展现了在高频化应用中的优势。
English Abstract
Derived from the class-E resonant converters, the isolated class-Φ2 resonant converters have much reduced voltage stress of the control FET owing to a shunt branch paralleled with the switch to provide low pass path for the second harmonic voltage. With the increase of the input voltage, the reverse conduction time of the power FETs varies seriously and the gate drive voltage can hardly match effi...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于MHz级高频功率变换技术，对阳光电源的未来产品研发具有前瞻性参考价值。在高频化趋势下，eGaN器件的应用能显著缩小功率密度，这对户用光伏逆变器及小型化充电桩产品线具有潜在的技术迭代意义。然而，目前该拓扑主要针对DCX（直流变压器）应用，在阳光电源现有的组串式逆变器或PowerTitan储能系统中，需重点评估其在高功率等级下的效率表现与电磁兼容性（EMC）挑战。建议研发团队关注该拓扑在高频磁性元件设计及驱动电路优化方面的经验，以储备下一代高功率密度变换技术。