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功率器件技术 GaN器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

用于GaN功率模块的集成共模滤波器及其高频EMI性能提升

Integrated Common-Mode Filter for GaN Power Module With Improved High-Frequency EMI Performance

Niu Jia · Xingyue Tian · Lingxiao Xue · Hua Bai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月

宽禁带(WBG)器件在提升功率密度和效率的同时,因其快速开关特性加剧了电磁干扰(EMI)问题。本文提出了一种集成共模滤波器设计,通过优化寄生参数,有效抑制了高频EMI噪声,为高频电力电子系统的电磁兼容性提供了解决方案。

解读: 随着阳光电源组串式逆变器及户用储能产品向高功率密度和高开关频率演进,GaN等宽禁带器件的应用成为提升效率的关键。然而,高频开关带来的EMI挑战直接影响产品认证与电磁兼容性。本文提出的集成共模滤波器技术,有助于优化阳光电源功率模块的布局设计,减少外部滤波器的体积与寄生参数影响,从而在保证EMI合规的前...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种基于电流检测的SiC MOSFET快速过流保护集成电路

A Fast Overcurrent Protection IC for SiC MOSFET Based on Current Detection

Qiang Li · Yuan Yang · Yang Wen · Xue Tian 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文提出了一种针对SiC MOSFET的快速过流保护集成电路(IC)。该方案通过片外电阻感测SiC MOSFET开尔文源极与功率源极之间的电压,从而获取与漏极电流成正比的检测电压。通过比较该检测电压实现快速过流保护,有效提升了SiC器件在高频应用下的安全运行能力。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,器件的可靠性保护至关重要。SiC器件因其高开关速度,对过流保护的响应时间要求极高。该研究提出的快速过流保护IC方案,能够有效缩短故障响应时间,降低短路应力,对于提升阳光...