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功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

采用复合终端的氧化镓肖特基势垒二极管静态与动态特性实验研究

Experimental Study on Static and Dynamic Characteristics of Ga2O3 Schottky Barrier Diodes With Compound Termination

Yuxi Wei · Xiaorong Luo · Yuangang Wang · Juan Lu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月

本文提出并实验研究了一种具有改进击穿电压的超快反向恢复β-Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)。该器件采用复合终端结构,结合了空气间隙场板和热氧化终端,有效降低了介质/Ga2O3界面的高密度界面态及电子浓度,提升了器件的耐压性能与开关特性。

解读: 氧化镓(Ga2O3)作为超宽禁带半导体,在未来高压、高功率密度电力电子应用中具有巨大潜力。对于阳光电源而言,该技术若实现产业化,将显著提升组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器(PCS)的效率与功率密度,并减小散热系统体积。建议研发团队持续跟踪其在高温环境下的可靠性表现及成本演进,评估其在...

功率器件技术 IGBT 功率模块 三相逆变器 ★ 4.0

矩阵变换器中超结反向阻断IGBT的特性与性能评估

Characterization and Performance Evaluation of the Superjunction RB-IGBT in Matrix Converter

Kun Zhou · Linhua Huang · Xiaorong Luo · Zhaoji Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年4月

本文首次研究了采用新型超结(SJ)反向阻断(RB)IGBT作为开关元件的三相交流-交流矩阵变换器(MC)的性能。该SJ RB-IGBT通过引入短路集电极沟槽和n2层,实现了超过1200V的双向阻断能力,并表现出优异的双极导通特性。

解读: 该研究涉及的超结反向阻断IGBT(SJ RB-IGBT)在双向功率变换领域具有显著优势。对于阳光电源而言,该技术可深度赋能风电变流器及工业驱动产品线,通过简化矩阵变换器拓扑结构,提升功率密度并降低导通损耗。建议研发团队关注其在双向AC-AC变换中的应用潜力,特别是在风电变流器中替代传统背靠背IGBT...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

通过针对性优化封装提升压接式IGBT模块的短路耐受能力

Improving Short-Circuit Withstand Capability by Targeted Optimization Package for Press-Pack IGBT Module

Renkuan Liu · Hui Li · Xiaorong Luo · Ran Yao 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

本文针对压接式IGBT(PP-IGBT)模块提出了一种电-热-机械(ETM)多物理场瞬态有限元模型,并设计了一种针对性优化封装(TOP)以提升其短路耐受能力(SCWC)。通过对3.3kV/50A PP-IGBT的建模与耦合关系分析,验证了该优化方案在极端工况下的可靠性提升效果。

解读: 压接式IGBT(PP-IGBT)因其高可靠性和失效短路特性,是阳光电源大功率集中式光伏逆变器及PowerTitan系列大型储能PCS的核心功率器件。本文提出的ETM多物理场耦合建模方法,能够精准评估高压大功率器件在短路故障下的热机械应力,对提升阳光电源核心产品的极端工况可靠性具有重要指导意义。建议研...

功率器件技术 DC-DC变换器 GaN器件 宽禁带半导体 ★ 4.0

利用GaN/Si混合开关抑制动态导通电阻以提升Buck变换器效率

Enhancing Buck Converter Efficiency by Using GaN/Si Hybrid Switches to Suppress Dynamic On-State Resistance

Gaoqiang Deng · Xihao Bi · Jingyu Shen · Renkuan Liu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

本文证明了采用GaN/Si混合开关的Buck变换器比同规格纯GaN开关具有更高的转换效率。通过将并联GaN HEMT中的一个替换为同电压等级但电阻稍高的Si超结MOSFET,可显著降低总导通损耗并抑制动态导通电阻效应。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品具有重要参考价值。在追求高功率密度和高效率的趋势下,GaN器件的动态导通电阻(Current Collapse)一直是限制其在功率变换中应用的关键痛点。通过GaN/Si混合拓扑,可以在不显著增加成本的前提下,优化变换器在不同负载下的效率表现。建议研...