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可靠性与测试 可靠性分析 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

一种用于纳秒脉冲宽度和大功率LIV测试的嵌入式电流传感方法

An Embedded Current Sensing Method for Nanosecond-Pulsewidth and High-Power LIV Testing

Yinong Zeng · Zhihao Liu · Xiaonan Tao · Jian Qiu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

本文提出了一种嵌入式电流传感(ECS)方法,旨在解决纳秒级脉宽和大峰值功率条件下光-电流-电压(LIV)测试的挑战。传统LIV测试受限于高di/dt下的电流测量精度,该方法利用PCB内层走线耦合技术,有效提升了高频瞬态电流的测量准确性。

解读: 该技术对阳光电源的功率器件测试与可靠性评估具有重要参考价值。随着公司在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体,高频开关下的瞬态电流测试精度直接影响器件失效分析与驱动电路优化。该嵌入式传感方法可集成于功率模块驱动板或测试平台中,提升对高di/dt工况下功率器件动态特...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 三电平 ★ 4.0

用于GaN HEMT桥式电路串扰抑制的高频三电平栅极驱动器

High-Frequency Three-Level Gate Driver for GaN HEMT Bridge Crosstalk Suppression

Xiaonan Wang · Ming Tao · Jing Xiao · Deng Luo 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

为抑制氮化镓(GaN)桥式电路中的串扰问题,本文提出了一种新型高频三电平栅极驱动器(HFTGD),实现了高达5MHz开关频率下的串扰抑制。该驱动器通过电容-二极管电路产生负压,有效防止了正向串扰引起的器件误导通。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用成为提升效率和减小体积的关键。该文章提出的高频三电平栅极驱动技术,能够有效解决GaN在高频开关下的串扰误导通问题,对提升公司新一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的可靠性具有重要参考价值。建议研发团队关注该驱动架...