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用于矿产勘探的多功能电磁发射系统
Multifunction Electromagnetic Transmitting System for Mineral Exploration
Meng Wang · Sheng Jin · Ming Deng · Wenbo Wei 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年10月
电磁法在矿产勘探中至关重要。为提高信噪比，需增加发射功率。本文提出了一种多功能钻孔地面电磁发射系统，能够发射矩形波信号，通过高功率电力电子变换技术实现深部地质结构的精确探测。
解读: 该文献涉及高功率电磁发射系统的拓扑设计与信号控制，与阳光电源的核心业务（光伏/储能）虽无直接产品重叠，但其核心技术——高功率密度电力电子变换及复杂电磁环境下的信号处理，对阳光电源的研发具有参考价值。特别是其高功率发射技术可为阳光电源在电力电子变换器的高可靠性设计、电磁兼容性（EMC）优化以及针对特殊...
一种基于电感内功率系统结构的集成功率模块
An Integrated Power Module Based on the Power-System-In-Inductor Structure
Laili Wang · Wenbo Liu · Doug Malcom · Yan-Fei Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年9月
本文提出了一种具有高功率密度和高效率的集成功率模块。通过设计一种多功能集成磁性元件，使其同时承担滤波电感和变换器封装的功能。结合有限元分析，验证了该电感的设计与优化方法，实现了更高的电感密度。
解读: 该技术通过磁集成与封装集成，显著提升了功率密度，这对阳光电源的组串式逆变器（如SG系列）和户用储能系统（如PowerStack）的轻量化与小型化具有重要参考价值。将滤波电感与封装结构融合，可有效降低寄生参数，提升系统效率并减少散热压力。建议研发团队关注该集成磁性元件的电磁兼容性（EMC）与热管理表现...
临界导通模式并网逆变器的电荷控制以增强动态性能与鲁棒性
Charge Control of Critical Conduction Mode Grid-Tied Inverters to Enhance Dynamics and Robustness
Yuying He · Li Zhang · Zhengzi Lei · Zhongshu Zheng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
临界导通模式（CRM）是并网逆变器实现零电压开关、降低开关损耗并突破开关频率限制的有效策略。为消除传统过零检测电路带来的额外硬件成本与复杂性，本文提出了一种全数字化的CRM控制实现方案，旨在提升系统的动态响应速度与鲁棒性。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器产品线具有重要参考价值。CRM模式能显著提升逆变器效率并减小磁性元件体积，助力产品向高功率密度和高效率方向演进。通过全数字化的CRM控制方案，可省去硬件过零检测电路，降低生产成本，提升系统可靠性。建议研发团队在户用及工商业组串式逆变器中探索该控制策略的应用，特别是在追求...
通过同步电荷积累电路增强摩擦纳米发电机的能量存储与利用
Enhancing Energy Storage and Utilization of Triboelectric Nanogenerator by a Synchronized Charge Accumulation Circuit
Wenbo Li · Baosen Zhang · Zitang Yuan · Ping Shen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月
本文针对摩擦纳米发电机（TENG）的能量采集应用，设计了一种同步电荷积累电路（SCAC）。该电路通过优化能量管理策略，有效提升了TENG的输出电流及能量转换效率，解决了TENG在实际应用中与负载匹配困难的问题，为微能源采集系统的功率管理提供了新方案。
解读: 该技术属于微能源采集与功率管理范畴，与阳光电源目前聚焦的GW级光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及大功率风电变流器等核心产品线在功率等级和应用场景上存在较大差异。然而，SCAC电路中涉及的“同步电荷积累”与“高效能量管理”理念，对阳光电源在iSolarCloud智能运维平...
一种基于单向电流H桥子模块及主动环流注入的MMC拓扑
An MMC Topology Based on Unidirectional Current H-Bridge Submodule With Active Circulating Current Injection
Wenbo Yang · Qiang Song · Shukai Xu · Hong Rao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
本文提出了一种基于单向电流H桥子模块（UCH-SM）的新型模块化多电平变换器（MMC）。该拓扑通过优化全桥子模块，在保持桥臂电流单向的前提下，引入主动环流注入（ACCI）技术。研究表明，该方案在减少开关器件数量的同时，有效提升了变换器的运行效率与控制灵活性。
解读: 该研究提出的UCH-MMC拓扑在减少开关器件数量的同时保持了多电平的高性能输出，对于阳光电源的集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。通过优化子模块设计，有望进一步降低大功率PCS的硬件成本并提升功率密度。建议研发团队关注该拓扑在电网侧储能及高压光伏并网场景下的...
一种具有宽ZVS运行范围的LCC-LCC补偿无线电能传输系统混合模式控制策略
A Hybrid Mode Control Strategy for LCC–LCC- Compensated WPT System With Wide ZVS Operation
Na Fu · Junjun Deng · Zhenpo Wang · Wenbo Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年2月
本文提出了一种面向效率的LCC-LCC补偿无线电能传输（WPT）系统控制策略，通过全桥（FB）与半桥（HB）模式的切换，实现了宽电流调节范围下的零电压开关（ZVS）运行。文中建立了考虑谐波的时域模型，以优化系统在不同负载需求下的转换效率。
解读: 该技术主要针对无线充电领域，与阳光电源现有的电动汽车充电桩业务具有技术关联性。虽然目前主流充电桩以有线为主，但随着大功率无线充电技术的演进，该混合模式控制策略（FB/HB切换）可有效提升宽负载范围下的转换效率，有助于优化未来无线充电模块的拓扑设计。建议研发团队关注该拓扑在提升充电桩系统轻载效率方面的...
宽禁带功率模块压力接触封装的机遇与挑战
Opportunities and Challenges of Pressure Contact Packaging for Wide Bandgap Power Modules
Lei Wang · Wenbo Wang · Keqiu Zeng · Junyun Deng 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
传统封装技术因引线键合寄生参数及焊料层热应力问题，限制了宽禁带（WBG）功率模块性能的充分发挥。压力接触技术通过替代焊料和引线键合，成为降低应力、实现组件紧凑化的高效方案。本文综述了该技术的最新研究进展。
解读: 压力接触封装技术对阳光电源的核心产品线具有重要意义。在PowerTitan储能系统及组串式光伏逆变器中，随着SiC器件的应用普及，传统封装的可靠性瓶颈日益凸显。压力接触技术能有效解决高功率密度下的热应力疲劳问题，提升模块在极端工况下的寿命。建议研发团队关注该技术在下一代高压、高功率密度PCS模块中的...
一种具有自驱动电子积累层的新型4H-SiC/金刚石超结MOSFET，实现极低比导通电阻
A Novel 4H-SiC/Diamond SuperJunction MOSFET With Self-Driving Electron Accumulation Layer Realizing Extremely Low Ron,sp
Bo Yi · JunFeng Duan · Qian Zhang · ShengNan Zhu 等7人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月 · Vol.47
本文提出一种基于4H-SiC/金刚石超结结构并集成自驱动电子积累层（SD-EAL）的新型MOSFET，通过TCAD仿真验证其在1.6 kV耐压下比导通电阻低至0.75 mΩ·cm²，较传统超结降低36%，优值提升94%。
解读: 该器件显著优化高压SiC功率模块的导通损耗与功率密度，可直接赋能阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统及组串式逆变器中主功率开关的升级换代。建议在下一代1500V+高压平台产品中开展SiC/金刚石复合超结器件的封装适配与可靠性验证，优先用于高功率密度户用及工商业光储一体机，以提升系统效...
基于氩中性束刻蚀的E模凹栅GaN MOSHEMT实现1.48 dB噪声系数用于低噪声放大器应用
1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications
Wenbo Ye · Junmin Zhou · Han Gao · Haowen Guo 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本研究针对低噪声放大器（LNA）应用，对氮化镓（GaN）增强型（E 型）凹槽栅高电子迁移率晶体管（HEMT）的器件特性进行了全面表征和研究。通过低损伤的基于氩气的中性束蚀刻（Ar - NBE）技术，凹槽栅 HEMT 实现了 0.5 V 的正电压阈值（ ${V} _{\text {TH}}$ ）、148 mS/mm 的最大跨导（gm）以及 2.39 nA/mm 的导通态栅极漏电流（ ${I} _{\text {G}}$ ）。在 2 GHz 的工作频率下，该器件呈现出 1.48 dB 的最小噪声系数...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于氩离子中性束刻蚀技术的增强型GaN MOSHEMT器件研究具有重要的战略参考价值，但其直接应用价值相对有限。 该论文聚焦于低噪声放大器（LNA）应用的GaN器件优化，实现了1.48 dB的超低噪声系数和0.5V的正阈值电压。从技术角度看，增强型GaN器件的常开特性...
高温反向偏压应力下p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化机理
Degradation Mechanisms of p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Under High-Temperature Reverse Bias Stress
Chengbing Pan · Wenbo Wang · Ruomeng Zhang · Xinyuan Zheng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
p型氮化镓（p - GaN）栅极氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在包括电动汽车、雷达等在内的许多应用领域具有广阔前景。然而，p - GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs的阈值电压（ ${V}_{\text {TH}}$ ）不稳定性和动态导通电阻（ ${R}_{\text {DSON}}$ ）退化问题仍然令人担忧。在此，对p - GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs的阈值电压和动态 ${R}_{\text {DSON}}$ 的退化行为进行了系统研究。在高...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文揭示的p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）退化机制研究具有重要的战略价值。作为新一代宽禁带半导体器件，GaN功率器件凭借其高开关频率、低导通损耗和高温工作能力，正成为光伏逆变器和储能变流器实现高功率密度、高效率的关键技术路径。 该研究系统阐...