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极端工况下SiC功率MOSFET的精确温度估计
Accurate Temperature Estimation of SiC Power mosfets Under Extreme Operating Conditions
Alexander Tsibizov · Ivana Kovacevic-Badstubner · Bhagyalakshmi Kakarla · Ulrike Grossner · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年2月
本文研究了SiC功率器件电热建模中，假设热导率和热容为常数对温度预测精度的影响。针对极端工况，分析了材料参数随温度变化对器件结温估计的偏差，旨在提升SiC器件在高温高压环境下的建模准确性与可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率模块，提升功率器件在极端工况下的热管理精度至关重要。本文提出的非线性电热建模方法，有助于优化逆变器和PCS的过温保护策略，延长器件寿命。建议研发团队在iSolarCloud智能运维平台中引入此类高精度...
碳化硅与硅功率MOSFET栅极电容特性再探
Gate Capacitance Characterization of Silicon Carbide and Silicon Power mosfets Revisited
Roger Stark · Alexander Tsibizov · Ivana Kovacevic-Badstuebner · Thomas Ziemann 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月
本文探讨了功率MOSFET的栅极电容-电压（C-V）特性对器件动态性能的影响。准确的C-V表征对于评估开关行为及校准紧凑模型中的集总等效电容至关重要，本文对此进行了全面分析。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线的功率器件选型与驱动优化。随着公司在组串式逆变器和PowerTitan储能系统中大规模应用SiC MOSFET，精确的栅极电容建模对于优化驱动电路设计、降低开关损耗及提升电磁兼容性（EMC）至关重要。建议研发团队利用该研究方法，针对高频化趋势下的SiC器件进行更精细...
快速开关条件下SiC功率MOSFET三种端间电容模型的精度研究
Accuracy of Three Interterminal Capacitance Models for SiC Power MOSFETs Under Fast Switching
Roger Stark · Alexander Tsibizov · Neha Nain · Ulrike Grossner 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月
本文全面分析了具有横向沟道的垂直结构碳化硅（SiC）功率MOSFET的非线性电压相关电容，重点研究了快速开关瞬态过程。通过二维TCAD仿真提取了依赖于栅源电压（Vgs）和漏源电压（Vds）的电容特性（Cgs, Cgd, Cds），并评估了三种不同模型在高速开关环境下的精度。
解读: SiC器件是阳光电源提升逆变器功率密度和转换效率的核心。随着组串式逆变器及PowerTitan储能系统向更高开关频率发展，精确的电容模型对于优化驱动电路设计、抑制电压尖峰及降低电磁干扰（EMI）至关重要。本文提出的建模方法可直接应用于阳光电源功率模块的选型与驱动参数优化，有助于提升系统在极端工况下的...
基于非线性热模型的碳化硅功率模块电路级电热建模
Circuit-Based Electrothermal Modeling of SiC Power Modules With Nonlinear Thermal Models
Salvatore Race · Aron Philipp · Michel Nagel · Thomas Ziemann 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月
本文提出了一种用于碳化硅（SiC）功率模块的电路级电热建模新方法。针对SiC器件在高温下材料属性及封装结构对电热性能的影响，利用有限元仿真与修正技术，建立了能准确表征非线性热特性的电热耦合模型，为高功率密度电力电子系统的热设计与可靠性评估提供了理论支撑。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器（如SG系列）和储能系统（如PowerTitan）向更高功率密度演进，SiC器件的应用已成趋势。该电热建模方法能显著提升研发阶段对SiC功率模块热应力的预测精度，优化散热设计，从而提升产品在极端工况下的可靠性与寿命。建议研发团队将其应用于...
无底板SiC MOSFET功率模块封装方案研究
Investigation of Packaging Solutions for SiC MOSFET Baseplateless Modules
Elena Mengotti · Ivana Kovacevic-Badstuebner · Enea Bianda · Christoph Kenel 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
本文对四家供应商的1200V碳化硅（SiC）MOSFET无底板功率模块进行了功率循环能力对比研究。通过统计学分析评估了不同封装技术下的长期可靠性表现，旨在客观对比各封装方案的性能差异。
解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）中功率模块的选型与可靠性设计。随着SiC器件在光伏和储能变流器中的广泛应用，无底板封装技术能有效提升功率密度并降低系统成本。阳光电源应参考该研究的功率循环测试方法，建立针对不同供应商SiC模块的可靠性评估标准，优化模块封...