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用于可重构图像处理的相变超表面
Phase-change metasurfaces for reconfigurable image processing
Tingting Liu · Jumin Qiu · Tianbao Yu · Qiegen Liu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126
光学超表面为紧凑型高速低功耗图像处理提供了新途径,但其在实际应用中仍面临成像功能不可重构的挑战。本文提出并实现了一种基于相变材料的超表面,可在可见光波段动态切换边缘检测与明场成像模式。通过调控电学和磁学Mie型共振的角色散特性,在Sb2S3非晶态下实现角度依赖的透射响应,用于高效各向同性边缘检测;在晶态下则呈现角度无关响应,实现均匀明场成像。该可重构超表面在自动驾驶系统的计算机视觉中具有重要应用前景。
解读: 该相变超表面的可重构光学处理技术对阳光电源智能运维系统具有重要启发价值。其动态切换边缘检测与明场成像的能力,可应用于iSolarCloud平台的光伏组件智能巡检:通过边缘检测模式快速识别组件热斑、裂纹等缺陷边界,明场模式则用于常规监控成像。该技术的低功耗、高速处理特性契合大型PowerTitan储能...
基于PdSe2/Al2O3/AlGaN肖特基异质结的自供电日盲紫外探测器用于日盲紫外通信
Self-Powered Photodetectors Based on PdSe2/Al2O3/AlGaN Schottky Heterojunctions for Solar-Blind Ultraviolet Communication
Tingting Lin · Liwei Liu · Changjian Zhou · Wenliang Wang · IEEE Electron Device Letters · 2025年2月
通常情况下,基于AlGaN的自供电日盲紫外光探测器(SBPDs)会出现响应缓慢的问题,这是由于AlGaN的载流子迁移率较低且表面陷阱密度较高。为解决这些问题,人们提出了PdSe₂/Al₂O₃/AlGaN SBPDs。得益于直接生长出具有高功函数和优异迁移率的单晶PdSe₂,其可用于构建具有清晰界面的高质量肖特基异质结,以及用于钝化界面处悬挂键并提高肖特基势垒高度的薄型高介电常数Al₂O₃中间层,所制备的自供电SBPDs在254 nm光照、0 V偏压下展现出2.9/3.5 ms的快速响应速度、95...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于PdSe2/Al2O3/AlGaN异质结的日盲紫外光电探测器技术虽属前沿光电器件领域,但与我司核心业务的直接关联度相对有限,更多体现为技术生态层面的潜在价值。 该技术的核心突破在于通过构建高质量肖特基异质结和界面钝化,实现了自供电探测器的快速响应(2.9/3.5毫...
解锁建筑一体化光伏与电池
BIPVB)系统深度强化学习中的预测洞察力与可解释性
Yuan Gao · Zehuan Hu · Shun Yamat · Junichiro Otomo 等9人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.384
摘要 可再生能源的部署以及智能能源管理策略的实施对于建筑能源系统(BES)的脱碳至关重要。尽管数据驱动的深度强化学习(DRL)在优化BES方面已取得近期进展,但仍存在显著挑战,例如缺乏针对时间序列数据观测空间的研究以及模型可解释性的不足。本文首次将未来预测信息引入DRL算法中,以构建时间序列数据的观测空间,并采用门控循环单元(GRU)和Transformer网络与DRL算法相结合,用于建筑一体化光伏与电池(BIPVB)系统的运行控制。此外,通过将前沿的Shapley加性解释(SHAP)技术与所开...
解读: 该深度强化学习优化技术对阳光电源光储一体化系统具有重要应用价值。研究中的GRU/Transformer时序预测与DRL决策框架可直接应用于ST系列储能变流器的智能调度策略,结合电价预测信息实现成本降低10%以上。SHAP可解释性分析方法可增强iSolarCloud平台的AI决策透明度,为PowerT...
垂直超宽禁带Al0.5Ga0.5N P-N存储二极管
Vertical Ultra-Wide Bandgap Al0.5Ga0.5N P-N Memory Diodes
Hang Chen · Shuhui Zhang · Tianpeng Yang · Tingting Mi 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年4月
我们报道了基于蓝宝石衬底上超宽带隙 <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">$Al_{{0}.{5}}$ </tex-math></inline-formula> <inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于超宽禁带Al0.5Ga0.5N材料的垂直p-n存储二极管技术具有重要的战略参考价值,尽管其当前定位于存储器件领域,但其底层材料特性与我们在高功率电力电子器件方面的技术需求高度契合。 超宽禁带半导体材料(如AlGaN)相比传统硅基器件具有更高的击穿电压、更低的导通损...