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拓扑与电路 DC-DC变换器 LLC谐振 储能变流器PCS ★ 4.0

一种基于抽头串联电容电路的高变比变换器

A High Conversion Ratio Converter Based on Tapped-Series Capacitor Circuit

Tingting Yao · Mingfei Ban · Yiqi Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

本文详细分析了一种高变比变换器。受部分功率结构启发,该拓扑由LLC电路和抽头串联电容(TSC)降压电路组成。LLC变换器在恒定频率下运行,TSC变换器与LLC输出并联,通过闭环控制实现高效的电压转换。

解读: 该拓扑结合了LLC谐振与TSC降压电路,具备高功率密度和高效率潜力,非常契合阳光电源在储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及户用光伏逆变器中对DC-DC变换级高效率、小体积的需求。利用部分功率处理思想,可有效降低变换器损耗,提升系统整体转换效率。建议研发团队关注该拓扑在宽电压范围...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 储能变流器PCS ★ 2.0

一种用于磁共振探测的矩形度改善型多脉冲电源

A Multipulsed Power Source With Rectangularity Improvement for Magnetic Resonance Sounding

TingTing Lin · Pengfei Wang · Yichen Liu · Jinbao Zhu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

矩形脉冲电源是脉冲磁共振探测系统的核心,要求具备高幅值、短拖尾时间和低幅值跌落特性。传统全桥拓扑在生成脉冲电流时,受限于供电电压跌落,难以维持理想的脉冲形状。本文提出一种多脉冲电源拓扑,旨在优化脉冲矩形度,提升系统输出性能。

解读: 该文献探讨了高精度脉冲电流的生成技术,重点在于优化输出波形的矩形度和动态响应。虽然其应用背景为磁共振探测,但其核心的“全桥拓扑优化”及“脉冲波形控制”技术,与阳光电源储能系统(如PowerTitan系列)中的PCS功率模块设计具有底层共性。在储能变流器进行快速功率响应、调频测试或特定工况下的电流控制...

拓扑与电路 功率模块 宽禁带半导体 ★ 3.0

基于混合结构与优化控制策略的多模块并联兆赫兹功率放大器

Multi Module Parallel MHz Power Amplifier with Hybrid Structure and Optimized Control Strategy

Chang Liu · Yueshi Guan · Tingting Yao · Yijie Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

兆赫兹功率放大器通常采用并联架构和异相调制技术。然而,在大功率衰减比下,模块的有效导纳往往偏离高效区间。本文通过两种运行模式优化了四模块并联系统:高功率下四模块全开,低功率下仅开启两模块,从而有效提升了系统在宽功率范围内的效率。

解读: 该研究探讨的兆赫兹(MHz)高频功率放大技术及多模块并联动态切换策略,对阳光电源的电力电子技术储备具有参考价值。虽然目前光伏逆变器和储能PCS主流频率较低,但随着宽禁带半导体(GaN/SiC)的应用普及,提升开关频率以实现功率密度提升是未来趋势。该文提出的“根据负载动态调整并联模块数量”的策略,可为...

拓扑与电路 PFC整流 PWM控制 空间矢量调制SVPWM ★ 4.0

面向宽电压范围应用、具有减少功率转换级的三端口三相AC-DC变换器改进SVPWM控制

Modified SVPWM-Controlled Three-Port Three-Phase AC–DC Converters With Reduced Power Conversion Stages for Wide Voltage Range Applications

Hongfei Wu · Jiangfeng Wang · Tingting Liu · Tianyu Yang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年8月

本文提出了一种三端口三相整流器(TPTPR),通过在传统三相六开关升压整流器中引入低压(LV)直流端口,实现交流输入、低压直流负载和高压(HV)直流母线的同时供电。该拓扑适用于电压低于交流线电压峰值且宽范围波动的直流负载场景,有效减少了功率转换级数。

解读: 该技术通过减少功率转换级数提升了系统效率和功率密度,对阳光电源的储能PCS及光储一体化产品具有重要参考价值。在PowerTitan或PowerStack等储能系统中,若需在直流母线与辅助直流负载间实现高效能量交互,该三端口拓扑可简化电路设计,降低成本。此外,其改进的SVPWM控制策略有助于提升逆变器...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

用于可重构图像处理的相变超表面

Phase-change metasurfaces for reconfigurable image processing

Tingting Liu · Jumin Qiu · Tianbao Yu · Qiegen Liu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年2月 · Vol.126

光学超表面为紧凑型高速低功耗图像处理提供了新途径,但其在实际应用中仍面临成像功能不可重构的挑战。本文提出并实现了一种基于相变材料的超表面,可在可见光波段动态切换边缘检测与明场成像模式。通过调控电学和磁学Mie型共振的角色散特性,在Sb2S3非晶态下实现角度依赖的透射响应,用于高效各向同性边缘检测;在晶态下则呈现角度无关响应,实现均匀明场成像。该可重构超表面在自动驾驶系统的计算机视觉中具有重要应用前景。

解读: 该相变超表面的可重构光学处理技术对阳光电源智能运维系统具有重要启发价值。其动态切换边缘检测与明场成像的能力,可应用于iSolarCloud平台的光伏组件智能巡检:通过边缘检测模式快速识别组件热斑、裂纹等缺陷边界,明场模式则用于常规监控成像。该技术的低功耗、高速处理特性契合大型PowerTitan储能...

功率器件技术 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

具有5.18 GW/cm²创纪录巴利加优值

BFOM)的2.41 kV垂直结构P-NiO/n-Ga2O3异质结二极管

Yuangang Wang · Hehe Gong · Yuanjie Lv · Xingchang Fu 等14人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

本文展示了采用复合终端结构(p-NiO结终端扩展JTE和小角度斜角场板BFP)的高性能p-NiO/β-Ga2O3异质结二极管。通过引入p-NiO JTE结构,器件击穿电压从955V提升至1945V,结合BFP技术进一步实现了2.41kV的击穿电压及5.18 GW/cm²的巴利加优值,展现了氧化镓器件在高压功率电子领域的巨大潜力。

解读: 氧化镓(Ga2O3)作为超宽禁带半导体,其理论击穿场强远超SiC和GaN,是未来高压功率器件的重要演进方向。对于阳光电源而言,该技术若实现产业化,将显著提升组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器(PCS)的功率密度与效率,并降低散热系统成本。建议研发团队持续跟踪氧化镓材料的晶圆制备工艺...

功率器件技术 宽禁带半导体 ★ 4.0

垂直超宽禁带Al0.5Ga0.5N P-N存储二极管

Vertical Ultra-Wide Bandgap Al0.5Ga0.5N P-N Memory Diodes

Hang Chen · Shuhui Zhang · Tianpeng Yang · Tingting Mi 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月

我们报道了基于蓝宝石衬底上超宽带隙 $Al_{{0}.{5}}$ $Ga_{{0}.{5}}$ N 异质结构的垂直 p - n 存储二极管。由于在 p - n 结界面处有意插入了重掺杂的 n - $Al_{{0}.{5}}$ $Ga_{{0}.{5}}$ N 层,在低触发电压 $\text {-}47$ V 下,AlGaN p - n 二极管中形成了具有可变电阻的导电通道。可以观察到显著的磁滞现象,其特点是具有可重复的写入/擦除编程循环。已观察到在 100 个循环中具有一致且可重复的开关性能,这...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于超宽禁带Al0.5Ga0.5N材料的垂直p-n存储二极管技术具有重要的战略参考价值,尽管其当前定位于存储器件领域,但其底层材料特性与我们在高功率电力电子器件方面的技术需求高度契合。 超宽禁带半导体材料(如AlGaN)相比传统硅基器件具有更高的击穿电压、更低的导通损...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

基于PdSe2/Al2O3/AlGaN肖特基异质结的自供电日盲紫外探测器用于日盲紫外通信

Self-Powered Photodetectors Based on PdSe2/Al2O3/AlGaN Schottky Heterojunctions for Solar-Blind Ultraviolet Communication

Tingting Lin · Liwei Liu · Changjian Zhou · Wenliang Wang · IEEE Electron Device Letters · 2025年4月

通常情况下,基于AlGaN的自供电日盲紫外光探测器(SBPDs)会出现响应缓慢的问题,这是由于AlGaN的载流子迁移率较低且表面陷阱密度较高。为解决这些问题,人们提出了PdSe₂/Al₂O₃/AlGaN SBPDs。得益于直接生长出具有高功函数和优异迁移率的单晶PdSe₂,其可用于构建具有清晰界面的高质量肖特基异质结,以及用于钝化界面处悬挂键并提高肖特基势垒高度的薄型高介电常数Al₂O₃中间层,所制备的自供电SBPDs在254 nm光照、0 V偏压下展现出2.9/3.5 ms的快速响应速度、95...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于PdSe2/Al2O3/AlGaN异质结的日盲紫外光电探测器技术虽属前沿光电器件领域,但与我司核心业务的直接关联度相对有限,更多体现为技术生态层面的潜在价值。 该技术的核心突破在于通过构建高质量肖特基异质结和界面钝化,实现了自供电探测器的快速响应(2.9/3.5毫...

功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 4.0

双层NiO/β-Ga2O3异质结二极管实现2870 V/20 A及12.80 ns反向恢复时间

Double-Layered-NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With 2870-V/20-A and 12.80-ns Reverse Recovery Time

Shaobo Dun · Yuangang Wang · Yuanjie Lv · Tingting Han 等7人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2026年1月 · Vol.73

本文报道了一种基于双层p-NiO/β-Ga2O3的高压大电流异质结二极管,实现2870 V击穿电压、20 A正向电流、14.4 mΩ·cm²导通电阻及12.80 ns超快反向恢复时间,展现出优异的高压高频功率器件潜力。

解读: 该β-Ga2O3异质结二极管在高压(>2.8 kV)、快速开关(<13 ns)和低导通损耗方面取得突破,可支撑阳光电源下一代高功率密度ST系列PCS、PowerTitan储能系统中更高效率的直流侧开关模块设计,尤其适用于1500 V+高压储能系统中的固态断路器或高频隔离DC-DC环节。建议联合国内宽...

光伏发电技术 强化学习 ★ 5.0

解锁建筑一体化光伏与电池

BIPVB)系统深度强化学习中的预测洞察力与可解释性

Yuan Gao · Zehuan Hu · Shun Yamat · Junichiro Otomo 等9人 · Applied Energy · 2025年4月 · Vol.384

摘要 可再生能源的部署以及智能能源管理策略的实施对于建筑能源系统(BES)的脱碳至关重要。尽管数据驱动的深度强化学习(DRL)在优化BES方面已取得近期进展,但仍存在显著挑战,例如缺乏针对时间序列数据观测空间的研究以及模型可解释性的不足。本文首次将未来预测信息引入DRL算法中,以构建时间序列数据的观测空间,并采用门控循环单元(GRU)和Transformer网络与DRL算法相结合,用于建筑一体化光伏与电池(BIPVB)系统的运行控制。此外,通过将前沿的Shapley加性解释(SHAP)技术与所开...

解读: 该深度强化学习优化技术对阳光电源光储一体化系统具有重要应用价值。研究中的GRU/Transformer时序预测与DRL决策框架可直接应用于ST系列储能变流器的智能调度策略,结合电价预测信息实现成本降低10%以上。SHAP可解释性分析方法可增强iSolarCloud平台的AI决策透明度,为PowerT...