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SiC MOSFET热瞬态测量性能指标研究
Figures-of-Merit Study for Thermal Transient Measurement of SiC MOSFETs
Yi Zhang · Yichi Zhang · Voon Hon Wong · Sven Kalker 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
本文探讨了利用温度敏感电参数（TSEP）进行热瞬态测量（TTM）的方法。针对TTM测量值是否能准确反映功率半导体器件真实温度或热结构的问题，研究了其性能指标，旨在提升SiC MOSFET热特性分析的准确性与可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的热管理至关重要。本文研究的TTM方法及TSEP技术，可直接指导研发团队对SiC功率模块进行更精确的热结构表征与寿命评估。建议将该研究成果应用于iSolarCloud智能...
面向未来电力变换器的智能门极驱动器
Intelligent Gate Drivers for Future Power Converters
Jochen Henn · Christoph Lüdecke · Michael Laumen · Steffen Beushausen 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年3月
本文探讨了具有智能特性的功率半导体门极驱动器的最新进展。这些特性包括主动开关瞬态控制、过冲优化、电磁干扰抑制及开关损耗降低。此外，这些技术在快速开关、极端工况及短路事件中提供了更可靠的安全保障。
解读: 智能门极驱动技术对阳光电源的核心产品线至关重要。在组串式及集中式光伏逆变器中，应用该技术可显著提升SiC/IGBT功率模块的开关效率，降低电磁干扰，从而缩小散热器体积并提升功率密度。对于PowerTitan等储能系统，智能驱动器在短路保护和极端工况下的鲁棒性，能有效提升PCS的可靠性与寿命。建议研发...
一种用于功率半导体热瞬态测量的稀疏促进时域评估方法
A Sparsity-Promoting Time Domain Evaluation Method for Thermal Transient Measurement of Power Semiconductors
Yi Zhang · Anton Evgrafov · Shuai Zhao · Sven Kalker 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月
本文研究了获取功率半导体器件内部热结构的瞬态测量评估方法。研究指出，目前广泛使用的频域反卷积标准方法存在局限性，其产生的时间常数谱旁瓣缺乏物理意义。为此，本文提出了一种稀疏促进的时域评估方法，能更准确地提取器件的热阻抗参数，为功率器件的热特性分析提供了更精确的手段。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品（如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统）中功率模块的可靠性设计。功率器件的热管理是提升系统功率密度和使用寿命的关键。通过该稀疏促进的时域评估方法，研发团队能更精准地获取IGBT/SiC模块的内部热结构，优化散热设计，并提升在极端工况下的热保护策略精度。...
利用自感知技术诊断功率器件热界面老化
Diagnosing Thermal-Interface Aging of Power Devices Using Self-Sensing
Isabel Austrup · Christoph H. van der Broeck · Sven Kalker · Tianlong B. Albert 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年3月
本文提出了一种独特且简便的方法，无需昂贵的传感器即可微创诊断功率电子器件的多种老化效应。研究表明，焊料疲劳和热界面层退化等不同失效模式会影响热阻抗频率响应函数的相位。该方法为功率器件的健康状态监测提供了低成本的解决方案。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品（如组串式/集中式逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高的应用价值。功率模块是上述设备中最易发生热失效的组件，通过自感知技术实现热界面老化监测，可显著提升iSolarCloud智能运维平台的预测性维护能力，降低运维成本并减少停机风险。建议研发团队将其集成至PCS及逆...