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一种基于SiC MOSFET集成电流检测FET的死区时间控制栅极驱动器
A Dead-Time-Controlled Gate Driver Using Current-Sense FET Integrated in SiC MOSFET
Akimasa Niwa · Takanori Imazawa · Ryota Kojima · Masahiro Yamamoto 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年4月
相比硅基IGBT，SiC MOSFET能显著降低开关损耗与导通损耗。然而，其体二极管较高的正向压降导致死区时间内损耗增加，削弱了整体效率优势。本文提出一种集成电流检测FET的栅极驱动器，通过精确控制死区时间，有效降低SiC MOSFET的体二极管导通损耗，提升系统效率。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器及PowerTitan储能系统）具有极高价值。随着公司产品向高功率密度、高效率演进，SiC器件已成为主流选择。该研究提出的死区时间优化方案，能直接解决SiC MOSFET体二极管损耗问题，进一步提升逆变器在高温及高频工况下的效率。建议研发团队关注该集成...
用于高效电机控制的Si晶闸管与SiC FET混合模块固态接触器
Solid-State Contactor With Si Thyristor and SiC FET Hybrid Module for High-Efficiency Motor Control
Chunmeng Xu · Pietro Cairoli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
本文针对感应电机直接启动中高浪涌电流的挑战，提出了一种新型“ThyFET”混合拓扑固态接触器。该方案结合了Si晶闸管的通流能力与SiC FET的低损耗特性，有效解决了传统Si SCR方案在电机启动应用中的局限性，提升了系统效率与可靠性。
解读: 该技术通过Si与SiC的混合封装，在处理高浪涌电流的同时降低了导通损耗，对阳光电源的产品线具有参考价值。在风电变流器及大型储能系统（如PowerTitan）的预充电电路或软启动环节中，此类混合模块可替代传统继电器或纯SCR方案，提升系统启动效率并减小体积。建议研发团队关注该混合模块在应对高冲击电流场...
基于单片双向GaN/分立SiC-FET及平面变压器的宽电压范围可重构DAB变换器
Wide Voltage Range Reconfigurable DAB Converter Realized by Monolithic Bidirectional GaN/Discrete SiC-FETs, and Planar Transformer
Reza Barzegarkhoo · Fabian Groon · Arkadeb Sengupta · Marco Liserre · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
本文提出了一种新型双有源桥（DAB）变换器，通过结合单片双向GaN器件、分立SiC-FET及平面变压器技术，解决了传统DAB在宽电压范围（如200-800V）应用中效率下降的问题，显著提升了功率密度与转换效率，适用于车载及低功率电力电子系统。
解读: 该技术对阳光电源的户用光储一体化系统及电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着户用储能系统对宽电压范围（适配不同电池电压平台）及高功率密度的需求日益增长，采用GaN与SiC混合功率拓扑可显著减小变换器体积并提升全负载范围效率。建议研发团队评估该可重构DAB拓扑在阳光电源新一代户用储能PCS及直流快充...