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排序:
功率器件技术 IGBT SiC器件 宽禁带半导体 ★ 5.0

三端Si/SiC混合开关

Three-Terminal Si/SiC Hybrid Switch

Xiaoqing Song · Liqi Zhang · Alex Q. Huang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年9月

本文提出了一种Si/SiC混合开关,通过并联Si IGBT与SiC器件(MOSFET或JFET)实现。该技术结合了Si IGBT的高导通能力与SiC器件的高速开关特性,有效提升了功率变换器的效率与性能,是功率半导体领域的重要创新。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重大价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器(PCS)中,通过Si/SiC混合开关技术,可以在不显著增加成本的前提下,显著降低开关损耗并提升功率密度。建议研发团队在下一代高效率逆变器拓扑中评估该方案,特别是在大功率工商业及地面电站场景下,利用该技术...

功率器件技术 IGBT SiC器件 功率模块 ★ 5.0

硅/碳化硅混合开关的功率损耗模型与器件选型优化

Power Loss Model and Device Sizing Optimization of Si/SiC Hybrid Switches

Zongjian Li · Jun Wang · Bing Ji · Z. John Shen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

本文研究了由硅IGBT与碳化硅MOSFET并联组成的混合开关技术。该方案在保持SiC器件大部分性能优势的同时,显著降低了全SiC方案的成本。通过优化混合开关的SiC芯片尺寸,可在满足结温限制的前提下,实现总功率损耗的最小化。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器)具有极高的应用价值。在当前碳化硅成本依然较高的背景下,Si/SiC混合开关方案是实现高效率与高性价比平衡的有效路径。建议研发团队在下一代大功率PCS及逆变器设计中,评估该拓扑在降低开关损耗...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

Si/SiC混合开关在宽功率范围下结温平衡的主动栅极延迟时间控制

Active Gate Delay Time Control of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance Over a Wide Power Range

Zongjian Li · Jun Wang · Linfeng Deng · Zhizhi He 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月

本文研究了Si/SiC混合开关的栅极延迟时间控制策略。针对传统固定延迟时间方案在不同工况下性能受限的问题,提出了一种主动控制方法,旨在优化混合开关的电气与热性能,实现宽功率范围内的结温平衡,从而提升功率变换器的可靠性与效率。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要参考价值。随着碳化硅(SiC)器件在高性能逆变器中的渗透率提升,Si/SiC混合封装方案是平衡成本与效率的有效路径。通过主动栅极延迟控制实现结温平衡,可显著提升功率模块的可靠性,延长产品寿命,并优化...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种改善Si/SiC混合开关逆变器效率与SiC MOSFET过流应力权衡的变频电流相关开关策略

A Variable-Frequency Current-Dependent Switching Strategy to Improve Tradeoff Between Efficiency and SiC MOSFET Overcurrent Stress in Si/SiC-Hybrid-Switch-Based Inverters

Zishun Peng · Jun Wang · Zeng Liu · Zongjian Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年4月

针对Si/SiC混合开关在传统开关策略下,SiC MOSFET在重载工况下承受过流应力导致可靠性下降的问题,本文提出了一种变频电流相关开关策略。该方法在不增加额外功率损耗的前提下,有效缓解了SiC MOSFET在栅极延迟期间的过流应力,提升了混合开关系统的可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerStack储能系统具有重要价值。随着公司产品向高功率密度和高效率演进,Si/SiC混合开关技术是平衡成本与性能的关键路径。本文提出的变频策略能有效解决混合开关在重载下的可靠性痛点,延长核心功率模块寿命。建议研发团队在下一代高压组串式逆变器及大功率PCS模块设...

储能系统技术 储能系统 宽禁带半导体 SiC器件 ★ 5.0

一种采用最优开关策略的混合三级混合开关

Hybrid2)有源中点钳位变换器

Tianlun Xia · Xinchun Feng · Chushan Li · Rulei Han 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年1月

多电平变换器拓扑适应航空电力系统高电压、大功率的发展趋势。为实现高效率与高功率密度,常采用碳化硅(SiC)等宽禁带器件,但全SiC方案成本过高。本文提出一种混合型Hybrid2有源中点钳位(ANPC)变换器,仅含两个Si/SiC混合开关,其余为硅基IGBT。通过混合频率调制策略,将绝大部分开关任务转移至混合开关。结合实验与理论分析,深入研究混合开关的特性,并提出最优开关策略以降低损耗、提升功率能力并保障器件安全。实验平台验证了该拓扑在成本、效率与可靠性方面的优势,适用于现代航空高功率变流器。

解读: 该混合型Hybrid2 ANPC拓扑对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。通过Si IGBT与SiC混合开关的协同设计,可在保持三电平拓扑高效率优势的同时,显著降低全SiC方案的成本压力。混合频率调制策略将高频开关损耗集中于SiC器件,低频开关由IGBT承担...