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具备纳秒级反向恢复与强浪涌电流能力的1.37 kV/12 A NiO/β-Ga2O3异质结二极管
1.37 kV/12 A NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With Nanosecond Reverse Recovery and Rugged Surge-Current Capability
Hehe Gong · Feng Zhou · Weizong Xu · Xinxin Yu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月
本文展示了一种NiO/Ga2O3 p-n异质结二极管（HJD），在实现快速反向恢复特性与强浪涌电流承受能力之间取得了优异平衡。该器件通过双层p-NiO结构设计，在1.37 kV的高压下表现出优异的动态性能与可靠性，为氧化镓功率电子技术的发展提供了重要参考。
解读: 氧化镓（Ga2O3）作为超宽禁带半导体，在未来高压、高效率功率变换领域具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术目前处于前沿研究阶段，短期内主要影响组串式逆变器及PowerTitan储能变流器（PCS）中功率模块的选型演进。虽然目前SiC和GaN是主流，但Ga2O3在耐压和成本方面具备长期替代优势。建议...
具有98.5%转换效率和百万次过压耐受能力的1.95-kV斜面台面NiO/β-Ga2O3异质结二极管
1.95-kV Beveled-Mesa NiO/β-Ga2O3 Heterojunction Diode With 98.5% Conversion Efficiency and Over Million-Times Overvoltage Ruggedness
Feng Zhou · Hehe Gong · Weizong Xu · Xinxin Yu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年2月
氧化镓（Ga2O3）功率二极管的发展受限于系统级应用性能评估与可靠性验证的缺失。本文通过将斜面台面NiO/Ga2O3 p-n异质结二极管（HJD）应用于500W功率因数校正（PFC）电路，验证了其在高压环境下的优异性能与可靠性，为该器件的商业化进程提供了关键支撑。
解读: 氧化镓作为超宽禁带半导体，在提升功率密度和耐压水平方面具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现商业化，可显著优化组串式逆变器及户用储能系统中的PFC级电路效率，进一步缩小功率模块体积。建议研发团队持续关注其在高温、高压下的长期可靠性表现，评估其在未来高压光伏系统及下一代高密度储能变流器（PCS）...
受控源音频大地电磁发射系统的高频宽带谐振补偿器
High-Frequency Broadband Resonance Compensator for the Controlled-Source Audio-Frequency Magnetotelluric Transmitting System
Rongbo Zhang · Meng Wang · Kuiyuan Zhang · Runfeng Yu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
受控源音频大地电磁法（CSAMT）是探测地下电性异常的重要手段，发射机是其核心。由于发射电缆的影响，发射机在高频段（≥2 kHz）难以产生大电流，导致信噪比降低。本文提出了一种高频宽带谐振补偿器，旨在解决高频段电流输出受限的问题，提升系统探测性能。
解读: 该文献探讨的宽带谐振补偿技术主要针对高频大电流输出的阻抗匹配与补偿问题。虽然CSAMT属于地球物理探测领域，但其核心的电力电子变换与高频补偿技术对阳光电源的电力电子研发具有参考意义。特别是在光伏逆变器和储能变流器（PCS）中，针对长电缆传输带来的高频谐振抑制、输出滤波器的参数优化以及高频功率变换效率...