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基于开通延迟的SiC MOSFET实时结温测量及老化补偿方法
Turn-on Delay Based Real-Time Junction Temperature Measurement for SiC MOSFETs With Aging Compensation
Fei Yang · Shi Pu · Chi Xu · Bilal Akin · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
在线结温监测对电力电子变换器的过温保护与状态监测至关重要。针对SiC MOSFET缺乏现场可靠性数据的问题，本文提出利用开通延迟时间作为温度敏感电参数（TSEP），并引入老化补偿机制，实现高精度的实时结温测量，提升功率器件在复杂工况下的运行可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度、高效率方向演进，SiC器件的应用日益广泛。实时结温监测与老化补偿技术不仅能提升逆变器和PCS在极端环境下的过温保护精度，还能通过状态监测实现预测性维护，降低运维成本。建议研...
基于结电容的SiC MOSFET栅氧化层退化温度无关监测方法
Temperature-Independent Gate-Oxide Degradation Monitoring of SiC MOSFETs Based on Junction Capacitances
Masoud Farhadi · Fei Yang · Shi Pu · Bhanu Teja Vankayalapati 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
栅氧化层退化是SiC MOSFET的主要可靠性挑战。现有监测方法多受温度影响，难以消除误差。本文提出了一种基于结电容的监测方法，实现了对栅氧化层退化的温度无关监测，有助于预防功率变换器的突发故障。
解读: SiC MOSFET作为阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及高频充电桩的核心功率器件，其可靠性直接决定了产品的全生命周期运维成本。该研究提出的温度无关监测技术，能够有效解决复杂工况下器件老化评估不准的痛点。建议将此技术集成至iSolarCloud智能运维平台，通过实时监测关键结电容...
碳化硅MOSFET栅极开路故障的研究与在板检测
Investigation and On-Board Detection of Gate-Open Failure in SiC MOSFETs
Bhanu Teja Vankayalapati · Shi Pu · Fei Yang · Masoud Farhadi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
本文针对离散型碳化硅（SiC）MOSFET中栅极键合线断裂或脱落导致的栅极开路故障进行了深入研究。该故障在封装器件中常表现为间歇性，极难检测。文章分析了故障机理，并提出了一种有效的在板检测方法，以提升电力电子系统的可靠性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的可靠性成为核心竞争力。栅极开路故障是SiC器件失效的重要模式，且具有隐蔽性。本文提出的在板检测技术可集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器驱动电路中，实现对S...