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通过超结结构增强高压LDMOS的抗ESD特性
Strengthen Anti-ESD Characteristics in an HV LDMOS With Superjunction Structures
Shen-Li Chen · Yi-Sheng Lai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年5月
本文研究了45V高压n型横向扩散金属氧化物半导体（nLDMOS）的抗静电放电（ESD）能力。通过引入嵌入式超结（SJ）结构，在保持低导通电阻的同时，显著提升了器件的ESD鲁棒性，解决了高压功率器件在可靠性工程中的关键瓶颈。
解读: 该研究聚焦于功率半导体器件的底层可靠性设计，对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。高压LDMOS广泛应用于逆变器及充电桩的驱动电路与控制芯片中，增强其抗ESD能力可直接提升产品在复杂电磁环境下的现场可靠性，降低故障率。建议研发团队关注超结结构在降低导通损耗与提升鲁棒性之间的平衡，将其作为未来功率模...
60V pLDMOS功率器件漏端调制工程的可靠性设计与布局策略
Design and Layout Strategy in the 60-V Power pLDMOS With Drain-End Modulated Engineering of Reliability Considerations
Shen-Li Chen · Yu-Ting Huang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年1月
本文研究了不同漏端布局对60V p沟道横向扩散金属氧化物半导体（pLDMOS）FET可靠性与电气性能的影响。通过在漏极引线中嵌入具有离散调节结构的硅控整流器（SCR），设计了“N-P-N”和“P-N-P”排列的pLDMOS，旨在有效提升器件的可靠性与性能。
解读: 该研究聚焦于中低压功率器件（pLDMOS）的漏端结构优化与可靠性提升，对阳光电源的户用光伏逆变器、电动汽车充电桩及iSolarCloud智能运维平台中的辅助电源模块具有参考价值。虽然阳光电源的核心功率器件多为SiC或IGBT，但该类LDMOS技术常用于驱动电路及控制芯片的集成。建议研发团队关注其漏端...