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排序:
功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

用于中压SiC MOSFET的低耦合电容恒压栅极驱动电源

Gate Driver Power Supply With Low-Capacitance-Coupling and Constant Output Voltage for Medium-Voltage SiC MOSFETs

Zhixing Yan · Gao Liu · Shaokang Luan · Yuan Gao 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年6月

随着宽禁带器件的发展,10-15 kV电压等级的碳化硅(SiC)器件在中压系统展现出巨大潜力。为确保其可靠运行,栅极驱动电源需满足高压隔离、低耦合电容、抗电压波动干扰等严苛要求。本文提出了一种新型驱动电源拓扑,旨在提升中压SiC MOSFET在高速开关过程中的驱动稳定性与抗干扰能力。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级(如1500V及以上)演进,SiC器件的应用日益广泛。该文提出的低耦合电容驱动电源方案,能有效抑制高频开关带来的共模噪声干扰,提升功率模块的电磁兼容性(EMC)与可靠性。建议研发团队关注该拓...

风电变流技术 ★ 5.0

一种面向多地点短期风速预测的以位置为中心的Transformer框架

A location-centric transformer framework for multi-location short-term wind speed forecasting

Luyang Zhao · Changliang Liu · Chaojie Yang · Shaokang Liu 等6人 · Energy Conversion and Management · 2025年3月 · Vol.328

准确的时空风速预测在电力系统优化和可再生能源效率提升中起着至关重要的作用。然而,传统模型通常将多个地点的历史风速数据合并到统一的特征通道中,这种做法削弱了其捕捉空间相关性的能力,从而降低了预测精度。本研究提出,在建模时空关系时保持各位置特有的差异性有助于提升预测性能。基于这一前提,本文构建了一种新颖的基于Transformer、具有以位置为中心架构的预测框架,并引入了若干关键创新:(1)一种时空门控融合单元,能够动态整合地理坐标与时间风速数据,同时保留位置特异性信息;(2)一种重构的Transf...

解读: 该位置中心化Transformer风速预测框架对阳光电源新能源管理系统具有重要应用价值。精准的多点短期风速预测可直接优化ST系列储能变流器的充放电策略,通过时空关联建模提升风光储协调控制精度。其双重增强机制可集成至iSolarCloud平台的预测性维护模块,结合地理坐标与时序数据的门控融合单元能改进...

电动汽车驱动 SiC器件 多物理场耦合 ★ 5.0

适用于中压SiC MOSFET的低电容耦合恒定输出电压栅极驱动电源

Gate Driver Power Supply With Low-Capacitance-Coupling and Constant Output Voltage for Medium-Voltage SiC MOSFETs

Zhixing Yan · Gao Liu · Shaokang Luan · Yuan Gao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

摘要:随着宽禁带器件的发展,10 - 15 kV 电压等级的碳化硅(SiC)半导体器件在中压(MV)系统中展现出应用潜力。为确保这些中压 SiC 器件可靠运行,栅极驱动电源必须满足特定要求:具备中压隔离能力、低耦合电容、在电压电位波动时性能稳定以及便于组装。本文提出了一种定制的栅极驱动电源解决方案。所提出的磁芯串联耦合平面变压器满足上述特定要求,通过磁芯串联显著降低了共模电容,同时保持了制造的简便性。此外,开环电压调节器电路模型通过考虑绕组电阻和励磁电感,确保了精确的输出电压。本文展示了一款中压...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对中压SiC MOSFET栅极驱动电源的技术创新具有重要的战略价值。随着公司在1500V光伏系统和中压储能变流器领域的持续拓展,10-15kV级SiC器件的应用将成为突破传统硅基器件限制的关键路径。 该技术的核心价值体现在三个维度:首先,0.42pF的超低耦合电容设...