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高压处理与界面工程在Sb2Se3/CdS光伏器件中的协同效应
Synergistic effects of high-pressure processing and interface engineering in Sb2Se3/CdS photovoltaic devices
Maykel Jiménez-Guerra · Ivan Caño · Alex Jiménez-Arguijo · Alejandro Navarro-Güell 等12人 · Solar Energy · 2025年9月 · Vol.298
摘要 本文报道了一种创新的高压后沉积退火工艺，用于共蒸发制备的Sb2Se3吸收层，证实了该工艺在增强沿[00l]方向晶体学织构方面的有效性。该过程促进了沿c轴方向的择优生长，有利于载流子传输，并生成晶粒尺寸超过100 nm的高度结晶性薄膜。然而，尽管材料的结构性能得到改善，光伏性能仍受限于界面质量。为解决这一问题，我们采用了UV-O3和KCN刻蚀处理，显著改善了Sb2Se3/CdS界面，使光电转换效率提升至最高5.8%。XPS、UPS和接触角测量结果证实，这些处理方法能够选择性地修饰界面，而不改...
解读: 该Sb2Se3薄膜太阳能电池的高压退火与界面工程技术对阳光电源SG系列光伏逆变器及组件集成具有启发意义。研究中的高压后处理提升晶体取向和载流子传输效率,可借鉴于光伏系统MPPT优化算法改进;界面工程通过UV-O3和KCN处理提升转换效率至5.8%的思路,与阳光电源在SiC/GaN功率器件界面优化、三...
基于自驱动Sb2Se3异质结光伏探测器的载流子动力学分析及其宽光谱响应
Carrier dynamics analysis of self-powered Sb2Se3 heterojunction photovoltaic detectors with a broad spectral response
Yu Cao · Jiaqi Chen · Jing Zhou · Sanlong Wang 等10人 · Solar Energy · 2025年3月 · Vol.288
简化器件结构并降低制造成本是推动光伏探测器发展的有效策略。在本研究中，我们结合理论与实验方法，开发了一种基于ZnO:B/Sb2Se3的自驱动异质结光伏探测器。采用近空间升华技术，在宽带隙ZnO:B衬底上生长出高度(002)取向、高光敏性的Sb2Se3薄膜，从而构建高性能异质结。多功能ZnO:B不仅作为n型层形成用于自供电的异质结结构，同时还充当透明前电极，显著简化了器件结构。与此同时，通过理论模拟，我们系统研究了Sb2Se3体缺陷、界面缺陷以及ZnO:B层和MoO3层厚度对器件性能的影响。值得注...
解读: 该ZnO:B/Sb2Se3异质结光伏探测器技术对阳光电源SG系列光伏逆变器的MPPT优化具有重要参考价值。其载流子动力学分析方法可用于优化逆变器的光伏输入响应特性,特别是400-900nm宽光谱响应机制有助于提升SG系列在弱光和复杂光照条件下的发电效率。自供电异质结结构的低复合率设计理念,可启发功率...
通过引入无毒(Zn,In)S缓冲层实现界面修饰以促进Sb2Se3薄膜太阳能电池中的电子提取
Interface modification to facilitate electron extraction by introducing a non-toxic (Zn,In)S buffer layer in Sb2Se3 thin-film solar cells
Iman Gharibshahi · Ali A. Orouji · Solar Energy · 2025年8月 · Vol.296
摘要：三硒化二锑（Sb2Se3）太阳能电池因其独特的材料特性和优异的光电功能而受到研究人员的广泛关注。基于Sb2Se3的光伏器件性能与吸收层和缓冲层之间的相互作用密切相关，二者形成的结区对整体器件效率具有决定性影响。传统上，Sb2Se3电池采用有毒且会寄生吸收光的硫化镉（CdS）作为缓冲层，这限制了其广泛应用。在本研究中，我们提出了一种替代方案，即引入一种具有组分依赖能带结构的无毒锌铟硫（(Zn,In)S）缓冲层。研究发现，当铟含量最优（In/(Zn + In)比为0.11）时，(Zn,In)S...
解读: 该Sb2Se3薄膜电池界面工程技术对阳光电源SG系列光伏逆变器系统具有重要参考价值。通过非毒性(Zn,In)S缓冲层优化导带偏移至-0.07eV,抑制界面复合并提升载流子传输效率至17.75%,该思路可启发我司在组件-逆变器界面匹配优化、MPPT算法改进及1500V高压系统中的能量传输损耗控制。界面...