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一种用于EMI分析的多芯片功率模块寄生电容高效提取方法
An Efficient Capacitance Extraction Method for Multichip Power Modules for EMI Analysis
Jaewon Rhee · Sanguk Lee · Seungmin Ha · Changmin Lee 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月
本文针对多芯片功率模块（MCPMs）提出了一种高效的寄生电容提取方法。在汽车逆变器等高频开关应用中，准确提取寄生参数对电磁干扰（EMI）分析至关重要。该方法特别适用于集成了多个半桥单元的多桥MCPM结构，旨在解决复杂模块内部寄生参数表征的难题，从而提升电力电子系统的可靠性与EMI设计水平。
解读: 该研究对阳光电源的功率器件选型与模块化设计具有重要参考价值。在阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，高功率密度设计往往伴随着复杂的电磁兼容挑战。通过该方法精确提取多芯片功率模块的寄生电容，可优化PCB布局与驱动电路设计，有效抑制高频开关过程中的EM...
半桥封装SiC功率MOSFET动态电容的一步提取法用于EMI分析
One-Step Method of Dynamic Capacitances Extraction From a SiC Power MOSFET in a Half-Bridge Package for EMI Analysis
Jaewon Rhee · Sanguk Lee · Changmin Lee · Seongho Woo 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
本文提出了一种从半桥封装SiC MOSFET中提取动态电容的一步法，旨在优化电路设计与电磁兼容性（EMI）分析。动态电容特性对MOSFET的开关行为至关重要，该方法为高频功率变换器的EMI预测与抑制提供了精确的参数支持。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。随着公司组串式逆变器（如SG系列）及储能系统（如PowerTitan）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件的应用已成为主流。准确的动态电容提取方法能显著提升EMI滤波器设计的精确度，减少反复调试成本，并优化开关损耗。建议研发团队将此方法集成至iSo...
一种用于EMI分析的半桥封装SiC功率MOSFET动态电容一步提取方法
One-Step Method of Dynamic Capacitances Extraction From a SiC Power MOSFET in a Half-Bridge Package for EMI Analysis
Jaewon Rhee · Sanguk Lee · Changmin Lee · Seongho Woo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的电磁干扰（EMI）和动态电容特性是电路设计和电磁兼容性方面的重要考量因素。MOSFET是一种广泛应用于开关领域的半导体器件。MOSFET的动态电容特性与电路的开关行为以及电磁干扰的产生密切相关。因此，为了进行电磁干扰分析和控制功率转换系统，必须准确了解MOSFET的电容。MOSFET的电容会随直流偏置电压而变化。换句话说，这意味着电磁干扰特性可能会因工作条件而异，因此必须基于直流电压来获取电容值。目前已有大量关于单个MOSFET电容提取的研究。然而，...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项针对半桥封装SiC功率MOSFET动态电容提取的研究具有重要的工程应用价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中，SiC MOSFET已成为提升功率密度和效率的关键器件，而精确掌握其动态电容特性是优化EMI性能和满足电磁兼容标准的前提。 该论文提出的一步法提取技术突破...