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通过SILAR法制备片状-棒状SrO薄膜用于超级电容器高效能量存储
Development of flake-rod like SrO thin films via SILAR method for efficient energy storage in supercapacitors
The SrO thin films electrode was successfully synthesized using the Successive Ionic Layer Adsorption · Reaction (SILAR) technique · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
采用连续离子层吸附与反应（SILAR）技术成功合成了SrO薄膜电极，XRD分析表明其具有明确的立方晶相结构，平均晶粒尺寸为18 nm。该薄膜呈现出片状-棒状的微观形貌，提供了较大的比表面积，并促进了离子的高效扩散，从而显著提升了其电化学性能。电化学测试结果显示，在扫描速率为5 mV/s时，其比电容（Cs (cv)）达到599.5 F/g，同时表现出优异的循环稳定性，在经历6000次循环后仍保持初始电容的83.4%。此外，Ragone图分析表明该材料在能量密度与功率密度之间实现了良好的平衡，凸显了...
解读: 该SrO薄膜超级电容器技术对阳光电源储能系统具有重要参考价值。其599.5 F/g比电容和83.4%循环稳定性(6000次)可为ST系列PCS的直流侧储能单元提供快速功率缓冲方案,特别适用于PowerTitan系统的调频调峰场景。SILAR制备工艺的低成本特性与公司储能产品降本路线契合,flake-...
铜掺杂CdS量子点在太阳能电池应用中光伏性能的增强
Enhanced photovoltaic performance of Cu-doped CdS quantum dots for solar cell applications: a deposition using SILAR technique
Max Savio · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年1月 · Vol.36.0
采用连续离子层吸附与反应（SILAR）技术，将铜（Cu）以不同浓度沉积到涂覆于氟掺杂氧化锡（FTO）基底上的二氧化钛（TiO2）层中的硫化镉（CdS）量子点（QDs）中。通过粉末X射线衍射分析验证了铜的成功沉积与掺杂，结果确认了CdS、TiO2和FTO各自的特征衍射峰；元素映射与分析进一步揭示了铜在CdS量子点中的分布情况。测定了未掺杂及铜掺杂CdS样品的光学带隙，揭示了铜掺杂对材料电子性质的影响。光伏性能测试表明，未掺杂CdS量子点器件的光电转换效率（η）为0.43%，而铜掺杂CdS量子点器件...
解读: 该Cu掺杂CdS量子点技术显著提升光伏转换效率(从0.43%至1.59%),对阳光电源SG系列光伏逆变器的前端材料优化具有启发意义。SILAR沉积工艺可改善光伏组件光谱响应特性,提升MPPT算法追踪效率。研究中的能隙调控思路可应用于1500V高压系统的光电转换优化,降低系统BOS成本。该量子点敏化技...