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宽禁带二极管超快反向恢复时间测量
Ultrafast Reverse Recovery Time Measurement for Wide-Bandgap Diodes
Daniel L. Mauch · Fred J. Zutavern · Jarod J. Delhotal · Michael P. King 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年12月
本文提出了一种测量宽禁带二极管亚纳秒级反向恢复时间的系统。该系统利用基于硅光导半导体开关（PCSS）和超短脉冲激光触发的电缆脉冲发生器，能够在0-1A正向偏置和0-10kV反向电压范围内，精确表征宽禁带材料二极管的反向恢复特性。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC等宽禁带半导体器件，高频开关下的损耗与可靠性评估至关重要。该测量技术能精确表征器件在极端工况下的反向恢复特性，有助于优化逆变器及PCS的驱动电路设计，降低开关损耗，提升系统能效。建议研发团队关注该测试方法，以提升功率模块选型及...
GaN HEMT动态导通电阻及动态应力对电场分布影响综述
A Review of GaN HEMT Dynamic ON-Resistance and Dynamic Stress Effects on Field Distribution
Lee Gill · Sandeepan DasGupta · Jason C. Neely · Robert J. Kaplar 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月
氮化镓（GaN）作为宽禁带半导体材料，在提升电力电子设备效率、功率密度及减重方面具有显著优势。本文综述了GaN HEMT器件的动态导通电阻效应及动态应力对电场分布的影响，探讨了其物理机制及可靠性挑战，为高性能功率变换器的设计提供理论支撑。
解读: GaN器件是实现下一代高功率密度光伏逆变器和微型逆变器的关键技术。针对阳光电源的户用光伏逆变器及电动汽车充电桩产品线，GaN的应用能显著降低开关损耗，缩小磁性元件体积。然而，动态导通电阻（Dynamic Ron）和电场应力导致的可靠性问题是工程化应用的核心瓶颈。建议研发团队重点关注GaN器件的动态特...
高压宽禁带器件导通电压测量电路拓扑、运行及性能研究
Novel On-State Voltage Measurement Circuit Topology, Operation, and Performance for High-Voltage Wide-Bandgap Devices
Lee Gill · Luciano Andres Garcia Rodriguez · Robert Kaplar · Alan J. Michaels · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
准确测量半导体器件的导通电阻是评估宽禁带器件在不同应力下电气、热及长期可靠性的关键。监测导通电阻不仅能深入了解器件物理特性和退化机制，还可作为器件失效与老化的诊断预警手段。
解读: 该研究对于阳光电源的核心业务至关重要。随着SiC等宽禁带器件在PowerTitan储能系统及组串式光伏逆变器中的大规模应用，器件的可靠性评估与寿命预测成为提升产品竞争力的核心。该测量电路拓扑可集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器/PCS的控制板中，实现对功率模块实时健康状态（SOH）的监...