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关于“高频软开关损耗宽禁带技术比较”一文的勘误
Erratum to “Comparison of Wide-Band-Gap Technologies for Soft-Switching Losses at High Frequencies”
Armin Jafari · Mohammad Samizadeh Nikoo · Nirmana Perera · Halil Kerim Yildirim 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月
本文是对IEEE电力电子汇刊中关于高频软开关损耗下宽禁带半导体技术对比研究论文的勘误说明，主要修正了原论文中的相关技术数据。
解读: 宽禁带半导体（SiC/GaN）是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度的核心技术。随着组串式逆变器和PowerTitan等储能系统向高频化、小型化发展，软开关技术下的损耗评估至关重要。该勘误虽为修正性内容，但提醒研发团队在评估SiC/GaN器件在高频应用中的效率时，必须确保基础数据与模型参数的严谨性...
用于低功率损耗测量的高精度免校准量热仪
High-Accuracy Calibration-Free Calorimeter for the Measurement of Low Power Losses
Armin Jafari · Michael Heijnemans · Reza Soleimanzadeh · Remco van Erp 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年1月
宽禁带半导体技术推动了高频功率转换效率的提升，但传统电测法在极高效率下易产生测量误差。本文提出一种高精度免校准量热仪，旨在解决电流探头带宽限制、时延失配及电磁干扰等导致的效率测量不准问题，为高效率功率电子系统的损耗评估提供精确基准。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC等宽禁带器件，系统效率已接近极限，传统的电测法难以精准捕捉微小的损耗差异。该量热仪技术可作为研发实验室的核心测试手段，用于验证高频功率模块的热设计与损耗模型。通过引入高精度量热法，阳光电源能更准确地评估S...
高频软开关下宽禁带半导体技术的损耗对比研究
Comparison of Wide-Band-Gap Technologies for Soft-Switching Losses at High Frequencies
Armin Jafari · Mohammad Samizadeh Nikoo · Nirmana Perera · Halil Kerim Yildirim 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月
本文探讨了基于宽禁带（WBG）器件的软开关变换器在提升效率与功率密度方面的优势。研究重点分析了在高频工作条件下，不同WBG技术（如SiC与GaN）在导通损耗、动态导通电阻（RDS(ON)）退化以及输入电容充放电损耗等方面的差异，为高频电力电子系统的设计提供了理论依据。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有极高的参考价值。随着光伏逆变器（如组串式逆变器）和储能变流器（如PowerTitan系列）向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC和GaN器件的应用已成为提升效率的关键。文章关于动态导通电阻退化及电容损耗的分析，直接指导了阳光电源在功率模块选型、驱动电路优化及散热设计...
功率场效应管硬开关损耗：输出电容的作用
Hard-Switching Losses in Power FETs: The Role of Output Capacitance
Nirmana Perera · Armin Jafari · Reza Soleimanzadeh · Nicolas Bollier 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月
本文探讨了软开关操作中场效应管（FET）输出电容（Coss）的大信号行为与数据手册标称值的偏差。这种偏差会显著影响硬开关损耗，特别是在输出电荷量与电压关系不一致时。此外，文章指出标准硬开关测试方法在评估此类损耗时存在局限性。
解读: 该研究对阳光电源的高功率密度产品线（如PowerTitan储能系统及组串式逆变器）至关重要。随着SiC和GaN等宽禁带半导体在PCS及逆变器中的广泛应用，准确评估Coss对硬开关损耗的影响，能有效提升系统转换效率并优化热设计。建议研发团队在功率模块选型及驱动电路设计中，摒弃仅依赖数据手册静态参数的习...