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基于多相逆变器与绕组的主动故障电流动态抑制技术
Active Fault Current Mitigation With Multi-Phase Inverter and Windings for Resilience Against Short-Circuit Faults Between Adjacent Turns
Ahmad Daniar · Matthew C. Gardner · Rahman Sajadi · Salek A. Khan · IEEE Transactions on Energy Conversion · 2024年10月
本文提出了一种应对电机相邻匝间短路故障的主动故障缓解技术。该技术通过六相逆变器、差模扼流圈（DMC）和双三相交错绕组结构得以验证。采用这种结构，相邻匝间短路故障会转变为相间故障。因此，故障电流不再仅在电机内部循环，而是会通过电机端子，从而易于测量。然后，在磁场定向控制（FOC）算法中加入故障电流缓解控制回路（FCMCL），以调节施加到受影响相的电压，从而降低故障电流。当检测到故障电流时，FCMCL会在其中一组三相绕组中注入零序电压。通过这种方法，故障电流可降低至额定电流的4%以下，使电机在故障存...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于多相逆变器的主动故障电流抑制技术具有重要的战略价值。该技术针对电机绕组匝间短路这一行业痛点，通过六相逆变器配合差模扼流圈和双三相交错绕组设计，将传统难以检测的匝间故障转化为可测量的相间故障，并通过零序电压注入将故障电流抑制至额定值的4%以内，较传统被动方案的42%实...
TO-263封装SiC MOSFET的栅极氧化层与封装可靠性研究
Gate Oxide and Package Reliability of TO-263 SiC MOSFETs
Rahman Sajadi · C. N. Muhammed Ajmal · Bilal Akin · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年7月
本文对来自四家不同供应商的 TO - 263 封装碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）进行了全面的可靠性分析，重点关注栅极氧化物和封装的退化情况。开展了一系列加速老化测试（AAT），包括正高温栅极偏置（PHTGB）、负高温栅极偏置（NHTGB）、高温反向偏置（HTRB）和直流功率循环（DCPC），以研究栅极氧化物和封装的可靠性。高温栅极偏置（HTGB）和高温反向偏置（HTRB）测试结果表明，与类似设计相比，栅极氧化物厚度即使仅减少 10 纳米，也会对栅极氧化物的可靠性产生显...
解读: 作为全球领先的光伏逆变器和储能系统供应商，阳光电源在产品设计中大量采用SiC MOSFET器件以提升系统效率和功率密度。本研究针对TO-263封装SiC MOSFET的栅氧化层和封装可靠性分析，对我司产品开发具有重要指导意义。 研究揭示的两个核心发现直接关联我司业务痛点：首先，栅氧化层厚度即使减少...