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集成电池储能的混合变压器在电动汽车超快速充电中的应用
The Hybrid Transformer With Battery Storage Integration for Electrical Vehicle Ultrafast Charging
Huan Guo · Qi Xiong · Chen Li · Mingyu Zhou · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2024年9月
在电动汽车充电站中集成电池储能可有效降低对电网的影响并提升充电能力。本文提出一种集成电池储能的混合变压器方案，具备部分功率处理、变流单元复用及与交流电网协调运行的特点，适用于超快速充电站。文中介绍了电路结构与工作原理，讨论了参数设计与性能分析。相比传统配置，所提方案显著降低了实现特定充电容量所需的总变流器容量，同时因部分功率处理效应和简洁结构提升了整体效率。实验、仿真与计算结果验证了该方案的优越性，200 kW样机最高效率达98.2%，总变流容量仅396 kW即可实现380 kW最大功率转换，且...
解读: 该混合变压器集成储能技术对阳光电源充电桩及储能产品线具有重要应用价值。其部分功率处理架构可使变流器容量需求降低至传统方案的52%（396kW实现380kW功率），直接适用于阳光电源超充桩产品优化，显著降低功率模块成本。98.2%的系统效率与交流侧功率波动抑制特性，可增强ST系列储能变流器在充电场景的...
总电离剂量辐射引起的p-GaN栅极HEMTs漏电流退化
Total-Ionizing-Dose Radiation-Induced Leakage Current Degradation in p-GaN Gate HEMTs
Zhao Wang · Xin Zhou · Qingchen Jiang · Zhengyuan Peng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
本研究对 p - GaN 栅高电子迁移率晶体管（HEMT）中总电离剂量（TID）辐射诱发的漏极泄漏电流（<inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">${I} _{\text {off}}$ </tex-math></inline-formula>）退化现象进行了研究。辐射诱发...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于p-GaN栅极HEMT器件抗总电离剂量辐射性能的研究具有重要的战略参考价值。GaN基HEMT器件因其高频、高效、耐高温特性，正逐步成为光伏逆变器和储能变流器中功率转换模块的核心器件，直接影响系统的转换效率和可靠性。 该研究揭示的辐射损伤机制对我司产品在特殊应用场景...
通过V型多量子阱缓解AlGaN基深紫外LED中载流子输运的不对称性
Alleviated Asymmetry in Carrier Transport With V-Shaped Multiple Quantum Wells in AlGaN-Based DUV LEDs
Ying Qi · Hang Zhou · Mengran Liu · Chao Liu · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月
基于AlGaN的深紫外发光二极管（DUV LED）由于严重的电子泄漏和空穴阻挡效应，仍然存在光输出功率（LOP）相对较低和外量子效率（EQE）较差的问题。由于量子势垒（QB）的限制能力较弱，电子倾向于在最后一个量子阱（LQW）中积累并从有源区逃逸。此外，最后一个量子势垒（LQB）/p型电子阻挡层（p - EBL）界面处的极化诱导正电荷会吸引电子并消耗空穴进行非辐射复合，导致有源区载流子浓度不足。在本文中，我们提出采用V形多量子阱（MQW）的DUV LED来调节有源区载流子的分布。采用V形多量子阱...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项AlGaN基深紫外LED技术虽然属于半导体光电领域，但其底层的载流子输运优化理念与我们在功率电子器件设计中面临的挑战存在技术共性。 该研究通过V型多量子阱结构显著改善了载流子分布不均和电子泄漏问题，将外量子效率提升48.1%。这种通过能带工程调控载流子行为的思路，对阳...