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AlInAsSb雪崩光电二极管的钝化研究
A passivation study for AlInAsSb avalanche photodiodes
Qi Lin · Hannaneh Karimi · Ellie Wang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127
雪崩光电二极管(APD)在商业、军事和科研领域具有重要应用。近年来,AlxIn1–xAsySb1–y数字合金体系因其可调带隙、高雪崩增益和低过剩噪声,成为下一代APD的候选材料。然而,台面结构器件中刻蚀后的Al0.7InAsSb侧壁易发生表面氧化与缺陷形成,显著增加暗电流、降低信噪比并影响可靠性。有效的表面钝化对抑制暗电流、提升器件性能至关重要。本研究系统比较了SU-8聚合物、原子层沉积(ALD)HfO2及不同温度下沉积的ALD-Al2O3等钝化技术对生长于InP衬底上的Al0.7InAsSb ...
解读: 该AlInAsSb雪崩光电二极管钝化技术对阳光电源光伏及储能系统的光电检测模块具有重要参考价值。APD的低暗电流、高信噪比特性可应用于:1)SG系列逆变器的组串电流监测与故障电弧检测,ALD-Al2O3钝化工艺可提升传感器在高温环境下的可靠性;2)PowerTitan储能系统的电池热失控早期光学预警...
一种基于载波实现的三电平简化中点箝位逆变器新型SVM策略
A Novel SVM Strategy With Carrier-Based Implementation for Three-Level Simplified Neutral-Point-Clamped-Inverters
Zifan Lin · Qingle Sun · Qi Guan · Herbert Ho-Ching Iu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
近年来,人们对三电平简化中性点钳位(3L - SNPC)逆变器展开了研究,以挖掘其在电力驱动和智能电网领域的应用潜力。遗憾的是,几乎所有关于3L - SNPC逆变器的现有论文都聚焦于控制技术的开发,而基于载波的空间矢量调制方案实现方法以及不同运行条件下相关的变流器损耗分析却付诸阙如。实际上,这两点对于工业应用至关重要。为填补这一研究空白,本文提出了一种适用于3L - SNPC逆变器的基于载波的简单空间矢量调制策略实现方法,有助于降低实现成本和复杂度。此外,通过实验对比了3L - SNPC逆变器在...
解读: 从阳光电源的业务角度来看,这项关于三电平简化中点钳位(3L-SNPC)逆变器的载波实现空间矢量调制策略研究具有重要的工程应用价值。该技术直接契合公司在光伏逆变器和储能变流器产品线的核心需求。 **技术价值分析:** 3L-SNPC拓扑相比传统两电平逆变器具有更低的开关应力和更优的输出波形质量,这对...
基于帽层设计的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电学性能研究
Study on electrical performance of AlGaN/GaN high electron mobility transistor based on cap layer design
Tieying Zhang · Peng Cui · Xin Luo · Siheng Chen 等11人 · Solid-State Electronics · 2025年1月 · Vol.224
摘要 本研究探讨了不同帽层对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电学特性的影响。通过对比制备的具有GaN和AlN帽层的AlGaN/GaN HEMTs,发现AlN帽层由于其优异的钝化效果和极化效应,能够提高二维电子气(2DEG)密度,从而获得更高的饱和电流,并使击穿电压从615 V(GaN帽层)提升至895 V(AlN帽层)。Sentaurus TCAD仿真结果验证了上述实验发现,表明AlN帽层器件中形成了更深的三角形量子势阱,导致2DEG电子密度达到1.19 × 10^13 cm^...
解读: 该AlN帽层GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究显示AlN帽层可将击穿电压提升至895V,梯度帽层结构更达1308V,2DEG密度提升28%。这为我司SG系列光伏逆变器、ST储能PCS及充电桩的GaN功率模块设计提供优化方向:通过改进帽层结构可提升器件耐压等级和导通性能,支持...